Etiqueta: PNP
PNP
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Transistor 2SA940 PNP
$ 0.9Añadir al carritoEl 2SA940 es un transistor de silicio complementario PNP de -150 V diseñado para amplificación de potencia de desviación vertical, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia.
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Transistor 2SA968 PNP
$ 1.1Añadir al carritoEl transistor 2SA968 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de amplificación de alta potencia.
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Transistor 2SA1012 PNP
$ 1.0Añadir al carritoEl transistor 2SA1012 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta corriente.
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Transistor 2SD2058 NPN
$ 0.6Añadir al carritoTransistor de propósito general, unión bipolar tipo PNP , su uso depende de como se configure ya sea para conmutación o amplificación.
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Transistor BJT 2N2907
$ 0.1Añadir al carritoEl 2N2907 es un transistor de unión bipolar PNP, se utiliza principalmente para fines generales, relacionados con amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación-switcheo. Es un transistor rápido, pues puede operar a altas velocidades.
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Transistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad : 10 Transitores BC557B
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Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad : 10 Transitores BC557B
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Transistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
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Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
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Transistor de empalme bipolar BC560C 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
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Transistor de empalme bipolar 2N5401 500mA 160V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores 2N5401
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2N4403 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura PNP.
Transistor de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW y controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC