Transistor Bipolar 2SC5200 NPN TO-3P 230V 15A

El Transistor Bipolar 2SC5200 es un BJT de potencia tipo NPN ampliamente reconocido por su rendimiento en aplicaciones de audio de alta fidelidad (Hi-Fi) y sistemas de control de potencia. Diseñado con un encapsulado TO-3P-3 de montaje en orificio pasante, ofrece una alta capacidad de corriente y un excelente manejo de potencia, garantizando confiabilidad en entornos exigentes.

Este transistor soporta hasta 230V de tensión colector-emisor y una corriente máxima de colector de 15A, lo que lo hace ideal para etapas de salida en amplificadores de audio y circuitos de conmutación. Su capacidad de disipación de potencia de 150W asegura un funcionamiento estable y prolonga la vida útil del dispositivo.

El Transistor Bipolar 2SC5200 cuenta con un ancho de banda de transición (fT) de 30 MHz, lo que asegura una respuesta en frecuencia excelente para aplicaciones de audio de calidad profesional. Su ganancia de corriente continua (hFE) se encuentra en el rango de 55 a 160, garantizando un comportamiento eficiente y lineal en amplificación.

Gracias a su voltaje de saturación colector-emisor de solo 0.4V, este componente minimiza las pérdidas de energía, optimizando el rendimiento en configuraciones de alta potencia. Además, opera en un rango de temperatura de hasta 150°C, lo que garantiza confiabilidad incluso en condiciones de uso intensivo.

Es comúnmente utilizado junto con su complemento PNP 2SA1943 en configuraciones push-pull, logrando un balance perfecto en amplificadores de audio de alta fidelidad.

Funciones destacadas del Transistor Bipolar 2SC5200:

• BJT NPN de potencia para aplicaciones de alta exigencia.
• Soporta hasta 230V y 15A en el colector.
• Disipación máxima de 150W.
• Alta linealidad y respuesta en frecuencia (30 MHz).
• Compatible con pares complementarios como el 2SA1943.

Aplicaciones comunes:

• Amplificadores de audio Hi-Fi.
• Etapas de salida de potencia.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Circuitos de control y regulación de energía.
• Sistemas electrónicos industriales de alto rendimiento.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor Bipolar (BJT).
• Polaridad: NPN.
• Encapsulado: TO-3P-3 (Through Hole).
• Configuración: Simple.
• Voltaje colector-emisor (VCEO): 230V.
• Voltaje colector-base (VCBO): 230V.
• Voltaje emisor-base (VEBO): 5V.
• Corriente de colector (IC): 15A máx.
• Potencia de disipación (Pd): 150W.
• Ganancia de corriente continua (hFE): 55 – 160.
• Ancho de banda de transición (fT): 30 MHz.
• Voltaje de saturación colector-emisor (VCE(sat)): 0.4V.
• Temperatura de operación: hasta 150°C.
• Dimensiones: 26 × 20.5 × 5.2 mm.
• Peso: 6.756 g.

Hoja de datos: 2SC5200

Para más Transistores de Potencia, consulte la sección Transistores