Transistor Bipolar 2SA1943 PNP TO-3P 230V 15A
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Transistor Bipolar 2SA1943 PNP TO-3P, -230V y -15A, con 150W de disipación. Usado en amplificadores de audio y fuentes de potencia.
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El Transistor Bipolar 2SA1943 es un BJT de potencia tipo PNP diseñado para aplicaciones electrónicas de alta exigencia, especialmente en amplificadores de audio y sistemas de potencia. Su capacidad de manejar corrientes de hasta -15A y voltajes de colector-emisor de hasta -230V lo convierten en un dispositivo confiable para equipos que requieren robustez y alta eficiencia energética.
Encapsulado en formato TO-3P de 3 pines, el Transistor Bipolar 2SA1943 permite una disipación máxima de potencia de 150W, lo que asegura estabilidad térmica y durabilidad incluso en condiciones de trabajo intensivo. Su ganancia de corriente continua (hFE) se encuentra en el rango de 55 a 160, proporcionando un desempeño lineal y estable en aplicaciones de amplificación de señal y etapas de salida de potencia.
Gracias a un ancho de banda de transición (fT) de 30 MHz, este transistor ofrece una excelente respuesta en frecuencia, lo que lo hace ideal para aplicaciones de audio de alta fidelidad (Hi-Fi). Además, su rango de temperatura de operación de hasta 150°C garantiza un rendimiento seguro en aplicaciones industriales y de consumo.
El 2SA1943 es ampliamente utilizado en conjunto con su complemento NPN 2SC5200, formando pares de transistores de potencia en configuraciones push-pull para amplificadores de audio de alta calidad.
Funciones destacadas del Transistor Bipolar 2SA1943:
- BJT PNP de potencia con alta capacidad de corriente.
- Soporta voltajes de hasta -230V y corrientes de -15A.
- Disipación máxima de 150W para mayor confiabilidad.
- Ancho de banda de transición de 30 MHz.
- Ideal para aplicaciones de audio Hi-Fi y fuentes de potencia.
Aplicaciones comunes:
- Amplificadores de audio de alta fidelidad.
- Etapas de salida en sistemas de potencia.
- Fuentes de alimentación conmutadas.
- Circuitos de regulación y control de energía.
- Sistemas electrónicos industriales.
Características técnicas:
- Tipo: Transistor Bipolar (BJT).
- Polaridad: PNP.
- Encapsulado: TO-3P-3 (Through Hole).
- Configuración: Simple.
- Voltaje colector-emisor (VCEO): -230V.
- Voltaje colector-base (VCBO): -230V.
- Voltaje emisor-base (VEBO): -5V.
- Corriente de colector (IC): -15A máx.
- Potencia de disipación (Pd): 150W.
- Ganancia de corriente continua (hFE): 55 – 160.
- Ancho de banda de transición (fT): 30 MHz.
- Voltaje de saturación colector-emisor (VCE(sat)): -1.5V.
- Temperatura de operación: hasta 150°C.
- Dimensiones: 26 × 20.5 × 5.2 mm.
- Peso: 6.756 g.
Hoja de datos: 2SA1943
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