Transistor BDX53C 100V 8A TO-220

El transistor BDX53C NPN Darlington es un componente semiconductor de potencia que integra dos transistores bipolares en una configuración Darlington monolítica. Esta estructura proporciona una elevada ganancia de corriente, permitiendo controlar corrientes de colector relativamente altas con una corriente de base menor que la requerida por un transistor bipolar convencional.

Este dispositivo admite una tensión colector-emisor máxima de 100V y una corriente continua de colector de hasta 8A, de acuerdo con las condiciones especificadas en la hoja de datos del fabricante. Su potencia máxima de disipación es de 60W, bajo condiciones térmicas controladas y con una temperatura de carcasa adecuada.

El BDX53C incorpora un diodo antiparalelo integrado entre colector y emisor, característica útil en determinadas aplicaciones de conmutación de cargas inductivas. También ofrece buena linealidad de ganancia de corriente y una frecuencia de transición elevada para su categoría.

Su encapsulado TO-220 de tres terminales permite el montaje through-hole en placas electrónicas y la conexión a un disipador térmico cuando la potencia disipada lo requiere.

Es utilizado en amplificadores de audio, equipos industriales, circuitos de control de potencia y sistemas electrónicos de conmutación.

Funciones destacadas

• Transistor bipolar de potencia tipo NPN Darlington.
• Configuración Darlington monolítica.
• Tensión colector-emisor máxima: 100V.
• Corriente continua de colector: hasta 8A.
• Potencia máxima de disipación: 60W bajo condiciones térmicas especificadas.
• Alta ganancia de corriente.
• Diodo antiparalelo integrado entre colector y emisor.
• Buena linealidad de ganancia.
• Encapsulado TO-220 de tres terminales.
• Montaje through-hole.

Usos comunes

• Etapas de amplificación de audio.
• Circuitos de conmutación de potencia.
• Control de motores y actuadores, respetando los límites eléctricos del dispositivo.
• Control de cargas inductivas.
• Equipos industriales de control.
• Fuentes y circuitos de alimentación.
• Proyectos de electrónica de potencia.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.

Características técnicas

• Modelo: BDX53C.
• Tipo: Transistor bipolar NPN Darlington.
• Tecnología: Silicio.
• Configuración: Darlington monolítica.
• Tensión colector-emisor (VCEO): 100V.
• Tensión colector-base (VCBO): 100V.
• Tensión emisor-base (VEBO): 5V.
• Corriente continua de colector (IC): 8A.
• Corriente pico de colector (ICM): 12A.
• Corriente máxima de base (IB): 0,2A.
• Potencia máxima de disipación (PTOT): 60W, con temperatura de carcasa de 25 °C.
• Temperatura máxima de juntura (TJ): 150 °C.
• Encapsulado: TO-220.
• Montaje: Through-hole.
• Número de terminales: 3.
• Configuración de pines: 1-Base, 2-Colector, 3-Emisor.
• Pestaña metálica: Conectada eléctricamente al colector.
• Diodo integrado: Antiparalelo entre colector y emisor.

Nota técnica:
Los valores de tensión, corriente y potencia son límites máximos y no deben aplicarse simultáneamente sin verificar el área de operación segura (SOA). La potencia de 60W requiere mantener la temperatura de la carcasa en las condiciones indicadas por el fabricante y utilizar un disipador térmico adecuado.

Debido a su configuración Darlington, el BDX53C presenta una tensión de saturación colector-emisor mayor que la de muchos transistores bipolares convencionales. Considera esta característica al diseñar circuitos de conmutación, especialmente cuando se requiere baja caída de tensión.

El diodo integrado no elimina la necesidad de revisar la protección del circuito frente a transitorios. Verifica también la polaridad y la distribución de pines antes de instalarlo o sustituir otro transistor.

Datasheet:
Trasistor BDX53C

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Para más información, consulte las secciones Transistores.