Transistor 2SD2012 NPN
$ 2,000.0
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
7 años de experiencia en robótica competitiva.
$ 2,000.0
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
Características :
Hoja de datos : 2SD2012
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Transistor bipolar NPN de baja potencia y uso general, sirve para aplicaciones de amplificación y conmutación. Amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, puente H.
Cantidad: 10 transistores 2N3904
TIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
TIP30C Transistor BJT PNP 100V / 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
2N4403 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura PNP.
Transistor de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW y controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC
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