Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP
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Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
40 disponibles
Cantidad:
• 1 Unidad – Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP
Características:
- Empaquetado: TO-92-3
- Polaridad: PNP
- Configuración : Single
- Máx voltaje VCEO colector-emisor: 30 V
- Tensión VCBO colector-base: 30 V
- Voltaje VEBO emisor-base: 5V
- Voltaje de saturación colector-emisor: 250m V
- Corriente CC máxima de colector: 100m A
- Producto para ganar ancho de banda fT: 150 Mhz (min)
- Temperatura de trabajo : -55 C – 150 C
- Corriente continua de colector: -0.1 A
- Colector DC/Ganancia Base hfe Máxima: 200
- Disipación de potencia: 500mW
Hoja de datos: BC559B
Aplicación:
• Robótica.
• Switch.
• Amplificador.
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