Transistor 2SD2012 NPN
$ 0.5
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
10 disponibles
7 años de experiencia en robótica competitiva.
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Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
10 disponibles
Características :
Hoja de datos : 2SD2012
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TIP29C Transistor BJT NPN 100V 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
2SA1943 Transistor BJT PNP es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
El FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.
TIP42C Transistor BJT PNP 100V 6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Capaz de disipar hasta 65W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC
El transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .
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