Transistor 25NM60N MOSFET Canal N Alta Tensión
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El 25NM60N es un MOSFET Canal N de alta tensión ideal para fuentes switching, inversores y aplicaciones de electrónica de potencia de hasta 600V.
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El transistor 25NM60N MOSFET Canal N es un semiconductor de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores industriales y sistemas electrónicos de potencia. Gracias a su capacidad para manejar altos voltajes y corrientes, es ampliamente utilizado en equipos que requieren un funcionamiento confiable y eficiente.
Una de las principales ventajas del 25NM60N MOSFET Canal N es su baja resistencia de conducción y rápida velocidad de conmutación, características que ayudan a reducir pérdidas de energía y mejorar el rendimiento del sistema. Su encapsulado tipo TO-220 facilita la disipación térmica mediante disipadores de calor, siendo una excelente opción para fuentes switching, UPS, balastos electrónicos y convertidores de potencia.
Funciones destacadas del transistor 25NM60N MOSFET Canal N
- Alta capacidad de voltaje
- Conmutación rápida
- Baja resistencia RDS(on)
- Encapsulado TO-220
- Diseñado para fuentes switching
- Alta eficiencia energética
Usos comunes en electrónica de potencia
El transistor 25NM60N MOSFET Canal N se utiliza en:
- Fuentes de alimentación conmutadas
- Inversores
- Sistemas UPS
- Balastos electrónicos
- Convertidores de potencia
- Equipos industriales
Características técnicas
- Modelo: 25NM60N
- Tipo: MOSFET Canal N de potencia
- Material: Silicio
- Encapsulado: TO-220
- Voltaje drenador-fuente (VDS): 600V
- Corriente de drenador (ID): 20A – 25A según fabricante
- Resistencia RDS(on): Baja
- Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±25V
- Potencia disipada: 160W
- Frecuencia de operación: Alta
- Temperatura de operación: Alta estabilidad térmica
- Compatibilidad: Circuitos de potencia y fuentes switching
Datasheet
- Datasheet: 25NM60N
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