MOSFET SVG095R0NT Canal N 90 V 147 A TO-220

El MOSFET SVG095R0NT es un transistor de efecto de campo de potencia de canal N, diseñado para controlar cargas eléctricas y realizar conmutación electrónica en sistemas de alimentación. Su tecnología de fabricación está orientada a reducir la resistencia entre drenador y fuente cuando el dispositivo está activado, favoreciendo la eficiencia en aplicaciones de potencia.

Este componente admite una tensión máxima drenador-fuente de 90 V y presenta una corriente de drenaje nominal de hasta 147 A según la guía de selección del fabricante. La corriente efectiva admisible depende de la temperatura de la carcasa, la disipación térmica, el diseño de la placa y las condiciones de operación; por ello, no debe interpretarse como una corriente disponible en cualquier montaje.

Además, el SVG095R0NT presenta una resistencia de conducción especificada en torno a 4,4 mΩ típica y 5,0 mΩ máxima bajo las condiciones de prueba indicadas por el fabricante. Para alcanzar la resistencia especificada, la compuerta debe recibir la tensión de control correspondiente, por lo que es importante revisar la hoja de datos antes de diseñar el circuito de accionamiento.

El encapsulado TO-220-3L facilita el montaje en circuitos electrónicos de potencia y permite utilizar disipación térmica adicional cuando el diseño lo requiere. Su configuración de tres terminales corresponde a compuerta (Gate), drenador (Drain) y fuente (Source).

Por sus características, este MOSFET puede emplearse en fuentes de alimentación, convertidores DC-DC, sistemas inversores y circuitos de control de potencia. La selección final debe considerar la tensión de trabajo, los picos transitorios, la corriente real, la frecuencia de conmutación y las condiciones de refrigeración.

Funciones destacadas del MOSFET SVG095R0NT

• MOSFET de potencia de canal N.
• Tensión máxima drenador-fuente de 90 V.
• Corriente nominal de drenaje de hasta 147 A en condiciones especificadas.
• Resistencia de conducción baja para reducir pérdidas.
• Diseñado para conmutación electrónica de potencia.
• Encapsulado TO-220-3L.
• Tres terminales: Gate, Drain y Source.
• Adecuado para diseños de gestión y conversión de energía.

Usos comunes en electrónica de potencia

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Convertidores DC-DC.
• Sistemas inversores.
• Control de cargas de corriente continua.
• Etapas de conmutación de potencia.
• Circuitos de gestión energética.
• Proyectos de electrónica de potencia y control industrial.

Características técnicas

• Fabricante: Silan Microelectronics.
• Referencia: SVG095R0NT.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: N.
• Tensión máxima drenador-fuente (VDS): 90 V.
• Corriente nominal máxima de drenaje (ID): 147 A, bajo condiciones especificadas.
• Resistencia de conducción (RDS(on)): 4,4 mΩ típica; 5,0 mΩ máxima, según condiciones de prueba.
• Tensión umbral de compuerta (VGS(th)): 2,0-4,0 V, según la guía de selección.
• Carga de compuerta (Qg): 85 nC, valor indicado en la guía de selección.
• Encapsulado: TO-220-3L.
• Terminales: Gate, Drain y Source.
• Aplicación: Conmutación y gestión de energía.
• Disipación de potencia: Depende de las condiciones térmicas y de montaje; consultar la ficha técnica.
• Temperatura de operación: Consultar la ficha técnica específica.

Nota técnica: Los valores máximos de tensión y corriente no deben utilizarse simultáneamente sin comprobar los límites de disipación y el área segura de operación (SOA). Diseñe el circuito de compuerta y la refrigeración conforme a las especificaciones del fabricante.

Datasheet:
SVG095R0NT 

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