MOSFET P Potencia TSM085P03CS SOP-8
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MOSFET P potencia TSM085P03CS SOP-8, alto rendimiento con 34A. Ideal para control de alta corriente y eficiencia energética en electrónica avanzada.
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El MOSFET P potencia TSM085P03CS RLG es un componente de alto rendimiento diseñado para aplicaciones donde se requiere control eficiente de corrientes elevadas. Este transistor de canal P, encapsulado en formato SOP-8, es ideal para proyectos de robótica, electrónica industrial y sistemas de potencia.
Con una tensión entre Drain y fuente de 30V y una capacidad de corriente continua de 34A, el TSM085P03CS asegura un control robusto de cargas elevadas. Su resistencia muy baja entre Drain y fuente (7.7mΩ) minimiza pérdidas de energía, optimizando la eficiencia de los sistemas electrónicos.
Este MOSFET admite un rango de tensión de Gate de -20V a +20V, con una tensión umbral de solo 1.2V, lo que facilita su integración en circuitos de control de precisión. La carga de Gate de 56nC, junto con tiempos de subida de 2.6ns y caída de 33ns, permite una rápida conmutación, reduciendo pérdidas por transición.
Gracias a su capacidad de disipar hasta 14W y operar en un rango de temperatura de -55°C a +150°C, el MOSFET P potencia TSM085P03CS ofrece una gran durabilidad incluso en condiciones extremas. Esto lo convierte en una opción ideal para controladores de potencia, drivers de motores, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación.
Funciones destacadas del MOSFET P potencia TSM085P03CS:
- Alta corriente continua: 34A.
- Baja resistencia: 7.7mΩ.
- Tensión máxima: 30V.
- Encapsulado SOP-8 compacto.
- Alta velocidad de conmutación.
Aplicaciones comunes:
- Control de motores.
- Fuentes de alimentación.
- Circuitos de conmutación.
- Electrónica de potencia.
- Robótica avanzada.
Características técnicas:
- Tipo de transistor: MOSFET P.
- Encapsulado: SOP-8.
- Canal: P.
- Tensión Drain-Fuente: 30V.
- Corriente continua Drain: 34A.
- Resistencia Drain-Fuente: 7.7mΩ.
- Tensión Gate-Fuente: ±20V.
- Tensión umbral: 1.2V.
- Carga de Gate: 56nC.
- Tiempo subida: 2.6ns.
- Tiempo caída: 33ns.
- Potencia disipada: 14W.
- Temperatura de trabajo: -55°C a +150°C.
Hoja de datos: TSM085P03CS
Para más componentes electrónicos, consulte la sección Transistores SMD
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