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MOSFET IRF3205S Canal N SOT 263

El MOSFET IRF3205S Canal N en encapsulado SOT-263 combina alta capacidad de corriente, baja resistencia y montaje SMD, perfecto para aplicaciones de potencia.

El MOSFET IRF3205S Canal N SOT-263 es un transistor de efecto de campo diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia que requieren alta eficiencia y confiabilidad. Con una tensión de drenaje a fuente (VDS) de 55 V y una corriente continua de drenaje (ID) de hasta 110 A, este dispositivo es ideal para sistemas de alto rendimiento.

Gracias a su encapsulado SOT-263 (D2PAK), el MOSFET IRF3205S Canal N SOT-263 ofrece una excelente disipación térmica y facilidad de montaje superficial en placas electrónicas. Su baja corriente de fuga y alta capacidad de disipación de potencia (200 W) lo convierten en una solución robusta para aplicaciones automotrices, industriales y electrónicas de consumo.

Este MOSFET también garantiza un funcionamiento confiable en un amplio rango de temperatura, de -55°C a 175°C, adaptándose a entornos exigentes sin perder estabilidad.

Funciones destacadas:

  • Alta capacidad de corriente de hasta 110 A.
  • Encapsulado SOT-263 de montaje superficial.
  • Baja resistencia y excelente eficiencia de conmutación.
  • Disipación de potencia de hasta 200 W.
  • Operación confiable en un rango de -55°C a 175°C.

Usos comunes:

  • Fuentes de alimentación conmutadas.
  • Controladores de motores.
  • Sistemas automotrices de potencia.
  • Convertidores DC-DC.
  • Aplicaciones industriales de alta corriente.

Características técnicas:

  • Tipo: MOSFET Canal N.
  • Modelo: IRF3205S.
  • Encapsulado: SOT-263 (D2PAK).
  • Pines: 3.
  • Voltaje VDS: 55 V.
  • Voltaje de compuerta VGS: 4 V.
  • Corriente continua ID: 110 A.
  • Corriente máxima por pulso IDM: 390 A.
  • Corriente de fuga IGS: ±100 nA.
  • Corriente de drenaje IDS: 25 µA.
  • Disipación total de potencia: 200 W.
  • Factor de disipación lineal: 1.3 W/°C.
  • Montaje: SMD.
  • Temperatura de trabajo: -55°C a 175°C.
  • Dimensiones: 10.10 x 15.40 mm.
  • Peso: 1.42 g.

En conclusión, el  IRF3205S  es una solución confiable y eficiente para proyectos de alta potencia que requieren un componente compacto, robusto y de gran capacidad de conducción.

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Datasheet: MOSFET IRF3205S Canal N SOT-263

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