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MOSFET IRF2807 Canal N 75V 82A TO-220

$ 3.500,0 +IVA

El IRF2807 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y control de cargas de alta corriente. Soporta una tensión máxima de drenaje-fuente de 75 V y una corriente continua de hasta 82 A a 25 °C, con una resistencia de conducción máxima de 13 mΩ a VGS = 10 V.

Su encapsulado TO-220AB facilita el montaje en placas electrónicas y permite utilizar disipadores cuando la potencia disipada así lo requiere.

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El IRF2807 pertenece a la familia HEXFET y utiliza una tecnología orientada a obtener una resistencia de conducción reducida. Su baja resistencia RDS(on) ayuda a disminuir las pérdidas por conducción cuando el dispositivo trabaja correctamente excitado desde la compuerta.

75 V y alta capacidad de corriente

El dispositivo presenta una tensión de ruptura drenaje-fuente de 75 V y una corriente continua especificada de 82 A a 25 °C, bajo las condiciones indicadas por el fabricante. A 100 °C, la corriente continua especificada se reduce a 58 A, por lo que la gestión térmica es especialmente importante en aplicaciones de alta corriente.

Baja resistencia de conducción

El RDS(on) máximo es de 13 mΩ, especificado con VGS = 10 V e ID = 43 A. Esta característica permite utilizar el IRF2807 en circuitos donde se busca reducir las pérdidas resistivas durante la conducción.

Conmutación de cargas

El IRF2807 puede utilizarse como interruptor electrónico controlado por tensión. La compuerta está aislada eléctricamente del canal mediante la estructura MOSFET, y admite una tensión máxima VGS de ±20 V.

Encapsulado TO-220

La versión IRF2807PBF se comercializa en TO-220AB de montaje THT, un encapsulado habitual en transistores de potencia. También existen variantes del mismo número base en encapsulados diferentes, por lo que conviene comprobar el sufijo exacto antes de realizar un reemplazo.

Funciones destacadas

  • MOSFET de potencia de canal N.
  • Tensión drenaje-fuente máxima: 75 V.
  • Corriente continua máxima especificada: 82 A a 25 °C.
  • Corriente continua especificada: 58 A a 100 °C.
  • RDS(on) máximo: 13 mΩ a VGS = 10 V.
  • Tensión máxima compuerta-fuente: ±20 V.
  • Encapsulado habitual TO-220AB.
  • Montaje de orificio pasante en la versión TO-220.
  • Temperatura de unión de -55 °C a +175 °C.
  • Disipación de potencia máxima especificada de hasta 230 W bajo las condiciones térmicas indicadas.
  • Carga total de compuerta máxima de 160 nC a VGS = 10 V.
  • Diodo de cuerpo integrado.
  • Adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia.

Usos comunes

  • Control de motores DC.
  • Controladores de motores y actuadores.
  • Fuentes de alimentación conmutadas.
  • Convertidores DC-DC.
  • Inversores de potencia.
  • Control PWM de cargas.
  • Etapas de conmutación de alta corriente.
  • Sistemas de alimentación de baja tensión.
  • Controladores para cargas inductivas.
  • Proyectos de electrónica de potencia.
  • Reparación y sustitución de MOSFET de potencia.
  • Circuitos industriales y automotrices, cuando las condiciones eléctricas y térmicas sean compatibles.

Ficha de datos

Característica Especificación
Producto IRF2807
Tipo MOSFET de potencia
Canal N
Tecnología HEXFET
VDS máximo 75 V
ID continuo @ 25 °C 82 A
ID continuo @ 100 °C 58 A
Corriente pulsada 280 A
RDS(on) máximo 13 mΩ
Condición RDS(on) VGS = 10 V, ID = 43 A
VGS máximo ±20 V
VGS(th) 2 a 4 V
Qg máximo 160 nC @ 10 V
Ciss máximo 3820 pF @ 25 V
Disipación de potencia 230 W bajo condiciones especificadas
Temperatura de unión -55 a +175 °C
Encapsulado TO-220AB
Montaje THT / orificio pasante
Diodo de cuerpo
Estado de producto No recomendado para nuevos diseños según Infineon

Los valores de corriente y potencia dependen de las condiciones térmicas y eléctricas indicadas en la hoja de datos; no deben interpretarse como valores simultáneos aplicables a cualquier montaje. Infineon identifica actualmente el IRF2807 como “not for new design”, por lo que para diseños nuevos puede ser conveniente evaluar alternativas actuales.

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  • Convertidores DC-DC
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  • Control PWM
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