MOSFET FGA25N120AN TO-3P

El MOSFET FGA25N120AN TO-3P es un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren eficiencia, velocidad de conmutación y robustez. Con un voltaje de ruptura colector-emisor de 1200V y una corriente continua de colector de 25A, este dispositivo está preparado para soportar condiciones de trabajo exigentes en equipos industriales y de energía.

Su encapsulado TO-3P facilita la disipación térmica, proporcionando estabilidad y confiabilidad en usos prolongados. Gracias a la tecnología NPT (Non Punch Through) Trench, ofrece bajas pérdidas de conmutación y mejor rendimiento frente a dispositivos convencionales, lo que lo convierte en una excelente elección en sistemas de energía moderna.

Es ampliamente utilizado en inversores, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), controles de motores eléctricos y equipos de calefacción por inducción. Su diseño le permite trabajar en ambientes de alto estrés eléctrico con gran durabilidad, aportando seguridad y eficiencia a los sistemas en los que se integra.

Funciones destacadas del MOSFET FGA25N120AN TO-3P:

• Conversión y control de potencia eléctrica.
• Conmutación rápida y eficiente.
• Soporte para aplicaciones industriales de alta exigencia.
• Alta confiabilidad y durabilidad.

Usos comunes:

• Inversores de potencia.
• Sistemas UPS.
• Controladores de motores eléctricos.
• Calefacción por inducción.

Características técnicas:

• Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada).
• Encapsulado: TO-3P.
• Voltaje colector-emisor (Vces): 1200V.
• Corriente de colector (Ic): 25A.
• Tecnología: NPT Trench.
• Aplicaciones: Inversores, UPS, control de motores, calefacción por inducción.

En conclusión, el MOSFET FGA25N120AN TO-3P ofrece potencia, eficiencia y confiabilidad en un solo componente diseñado para entornos industriales.

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Datasheet: FGA25N120AN