MOSFET Canal N 55V Alta Eficiencia SMD IRFR4105Z

El Transistor Mosfet IRFR4105Z pertenece a la reconocida serie HEXFET y está diseñado para aplicaciones de potencia que requieren alta eficiencia, conmutación rápida y operación confiable en condiciones exigentes. Gracias a su arquitectura de canal N, este dispositivo ofrece un excelente equilibrio entre capacidad de corriente, baja resistencia de encendido y robustez térmica.

Además, el Transistor Mosfet IRFR4105Z soporta una tensión disruptiva drenaje-fuente de hasta 55 V, lo que lo hace adecuado para convertidores DC-DC, fuentes conmutadas, controladores de motores y sistemas de gestión de energía. Su corriente de drenaje continua máxima de 30 A permite alimentar cargas de potencia media con alta estabilidad eléctrica.

Por otro lado, este MOSFET presenta una disipación de potencia de hasta 48 W, lo que asegura un funcionamiento térmico confiable cuando se integra con un diseño adecuado de disipación. Asimismo, su resistencia de encendido ultra-baja reduce de forma significativa las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia energética global del sistema y disminuyendo la generación de calor.

El Transistor Mosfet IRFR4105Z cuenta con una tensión umbral puerta-fuente de 4 V, lo que facilita su control mediante drivers estándar. Además, su tiempo de recuperación inversa de solo 29 ns permite una conmutación rápida y precisa, característica clave en aplicaciones de alta frecuencia. Su coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura de 0.053 °C contribuye a una operación más estable frente a variaciones térmicas.

Asimismo, este dispositivo admite temperaturas de funcionamiento de hasta 175 °C, lo que garantiza una alta confiabilidad incluso en entornos industriales exigentes. En conjunto, el Transistor Mosfet IRFR4105Z representa una solución técnica sólida, eficiente y duradera para proyectos de electrónica, robótica e ingeniería de potencia.

Funciones destacadas del Transistor Mosfet IRFR4105Z:

• Permite conmutación eficiente en aplicaciones de potencia.
• Reduce pérdidas gracias a su resistencia de encendido ultra-baja.
• Soporta corrientes elevadas con alta estabilidad.
• Ofrece conmutación rápida mediante bajo tiempo de recuperación inversa.
• Garantiza operación confiable a altas temperaturas.

Aplicaciones comunes:

• Convertidores DC-DC.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Controladores de motores.
• Electrónica de potencia industrial.
• Sistemas de gestión de energía.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET canal N
• Serie: HEXFET
• Modelo: IRFR4105Z
• Encapsulado: SMD
• Tensión drenaje-fuente (VDS): 55 V
• Corriente de drenaje continua máxima (ID): 30 A
• Disipación de potencia: 48 W
• Tensión umbral puerta-fuente (VGS(th)): 4 V
• Tiempo de recuperación inversa: 29 ns
• Resistencia de encendido: Ultra-baja
• Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura: 0.053 °C
• Temperatura máxima de funcionamiento: 175 °C

Hoja de datos: IRFR4105Z

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