MOSFET Canal N 100V Alta Corriente SMD IRFR3710Z

El Transistor Mosfet IRFR3710Z es un MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia que requieren alta eficiencia, respuesta rápida y elevada capacidad de corriente. Gracias a su voltaje de ruptura drenaje-fuente de 100 V, este dispositivo permite trabajar con márgenes de seguridad adecuados en convertidores DC-DC, fuentes conmutadas y sistemas de control de motores.

Además, el Transistor Mosfet IRFR3710Z soporta una corriente de drenaje continua de hasta 56 A, lo que lo convierte en una solución robusta para cargas exigentes. Esta capacidad permite manejar picos de corriente elevados sin comprometer la estabilidad térmica del sistema. Asimismo, su resistencia entre drenaje y fuente de solo 18 mΩ reduce significativamente las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia energética del circuito.

Por otro lado, el Transistor Mosfet IRFR3710Z presenta un voltaje umbral de compuerta entre 2 V y 4 V, lo que facilita su control directo desde circuitos lógicos o drivers de compuerta estándar. La carga de compuerta comprendida entre 69 nC y 100 nC permite un equilibrio adecuado entre velocidad de conmutación y control de pérdidas dinámicas, lo que resulta especialmente útil en aplicaciones de alta frecuencia.

Asimismo, este MOSFET destaca por su capacidad de cambio rápido y su temperatura máxima de funcionamiento de hasta 175 °C, lo que asegura un rendimiento confiable incluso en entornos térmicos exigentes. El encapsulado SMD facilita la integración en diseños compactos y automatizados. En conjunto, el Transistor Mosfet IRFR3710Z ofrece una solución profesional, eficiente y duradera para proyectos de electrónica, robótica e ingeniería de potencia.

Funciones destacadas del Transistor Mosfet IRFR3710Z:

• Permite conmutación rápida en aplicaciones de potencia.
• Soporta alto voltaje drenaje-fuente de 100 V.
• Maneja alta corriente continua de drenaje.
• Reduce pérdidas gracias a baja resistencia RDS(on).
• Opera de forma estable a altas temperaturas.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Convertidores DC-DC.
• Controladores de motores.
• Etapas de potencia en robótica.
• Electrónica industrial y automotriz.

Características técnicas:

• Tipo: MOSFET canal N
• Modelo: IRFR3710Z
• Encapsulado: SMD
• Voltaje de ruptura drenaje-fuente (VDS): 100 V
• Corriente de drenaje continua (ID): 56 A
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 18 mΩ
• Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)): 2 V – 4 V
• Carga de compuerta (Qg): 69 – 100 nC
• Temperatura máxima de funcionamiento: 175 °C
• Característica principal: Cambio rápido

Hoja de datos: IRFR3710Z

Para más Transistores y Dispositivos de Potencia, consulte la sección MOSFETs y Semiconductores de Potencia.