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  Transistor Mosfet IRFR3710Z smd

  $ 0.4

  Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de  175 °C, máxima disipación de potencia  140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.

   

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