MOSFET 26NM60N CANAL N
$ 5.500,0 +IVA
El 26NM60N es un MOSFET N-Channel de alta tensión ideal para fuentes switching, inversores y electrónica de potencia de hasta 600V y 26A.
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El transistor 26NM60N MOSFET N-Channel alta tensión es un semiconductor de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación en alta tensión y alta eficiencia, especialmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores de motores y sistemas electrónicos industriales. Este MOSFET puede soportar voltajes elevados, típicamente hasta 600V, y corrientes altas, ofreciendo un excelente rendimiento en circuitos de conversión de energía y aplicaciones de potencia.
Una de las principales ventajas del 26NM60N MOSFET N-Channel alta tensión es su baja resistencia interna de conducción, lo que permite reducir pérdidas de energía y mejorar la eficiencia térmica del sistema. Gracias a su encapsulado tipo TO-220, puede disipar calor eficientemente utilizando disipadores adecuados, siendo ampliamente utilizado en fuentes switching, UPS, cargadores, balastos electrónicos y equipos industriales. Su rápida velocidad de conmutación lo hace ideal para aplicaciones donde se requiere estabilidad y eficiencia energética.
Funciones destacadas del transistor 26NM60N MOSFET alta tensión
- Alta capacidad de voltaje
- Baja resistencia RDS(on)
- Conmutación rápida
- Encapsulado TO-220
- Diseñado para fuentes switching
- Alta eficiencia energética
Usos comunes en electrónica de potencia
El transistor se utiliza en:
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Inversores
- UPS y reguladores
- Controladores de motores
- Sistemas de iluminación electrónica
- Convertidores DC-DC
Características técnicas
- Modelo: 26NM60N
- Tipo: MOSFET N-Channel de potencia
- Material: Silicio
- Encapsulado: TO-220
- Voltaje drenador-fuente (VDS): 600V
- Corriente de drenador (ID): 26A
- Resistencia RDS(on): Baja
- Frecuencia de operación: Alta
- Potencia de disipación: Alta (con disipador)
- Temperatura de operación: Alta estabilidad térmica
- Dimensiones aproximadas: 10 x 15 x 4 mm
- Peso: 3 g
- Compatibilidad: Circuitos de potencia y fuentes switching
Datasheet
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- Contenido relacionado: MOSFET de potencia, IGBT, transistores N-Channel
- Para más semiconductores consulte la sección: MOSFET
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