MOSFET 26NM60N CANAL N

El transistor 26NM60N MOSFET N-Channel alta tensión es un semiconductor de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación en alta tensión y alta eficiencia, especialmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores de motores y sistemas electrónicos industriales. Este MOSFET puede soportar voltajes elevados, típicamente hasta 600V, y corrientes altas, ofreciendo un excelente rendimiento en circuitos de conversión de energía y aplicaciones de potencia.

Una de las principales ventajas del 26NM60N MOSFET N-Channel alta tensión es su baja resistencia interna de conducción, lo que permite reducir pérdidas de energía y mejorar la eficiencia térmica del sistema. Gracias a su encapsulado tipo TO-220, puede disipar calor eficientemente utilizando disipadores adecuados, siendo ampliamente utilizado en fuentes switching, UPS, cargadores, balastos electrónicos y equipos industriales. Su rápida velocidad de conmutación lo hace ideal para aplicaciones donde se requiere estabilidad y eficiencia energética.

Funciones destacadas del transistor 26NM60N MOSFET alta tensión

• Alta capacidad de voltaje
• Baja resistencia RDS(on)
• Conmutación rápida
• Encapsulado TO-220
• Diseñado para fuentes switching
• Alta eficiencia energética

Usos comunes en electrónica de potencia

El transistor se utiliza en:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Inversores
• UPS y reguladores
• Controladores de motores
• Sistemas de iluminación electrónica
• Convertidores DC-DC

Características técnicas

• Modelo: 26NM60N
• Tipo: MOSFET N-Channel de potencia
• Material: Silicio
• Encapsulado: TO-220
• Voltaje drenador-fuente (VDS): 600V
• Corriente de drenador (ID): 26A
• Resistencia RDS(on): Baja
• Frecuencia de operación: Alta
• Potencia de disipación: Alta (con disipador)
• Temperatura de operación: Alta estabilidad térmica
• Dimensiones aproximadas: 10 x 15 x 4 mm
• Peso: 3 g
• Compatibilidad: Circuitos de potencia y fuentes switching

Datasheet

• Datasheet: 26NM60N

Contenido relacionado

• Contenido relacionado: MOSFET de potencia, IGBT, transistores N-Channel
• Para más semiconductores consulte la sección: MOSFET