Memoria EEPROM I2C 24LC512 SMD SOIC-8 512Kbit 64Kx8

La Memoria EEPROM I2C 24LC512 SMD es un dispositivo de almacenamiento no volátil confiable, diseñado para aplicaciones de programación y desarrollo que requieren guardar datos críticos de manera segura y duradera. Con una capacidad de 512 Kbit (64K x 8) y empaquetado compacto SOIC-8 SMD, es ideal para proyectos electrónicos modernos con limitaciones de espacio.

Su interfaz en serie I2C permite compatibilidad con una amplia gama de microcontroladores y placas de desarrollo, soportando frecuencias de hasta 1 MHz y velocidades estándar de 100 kHz y 400 kHz según el voltaje de operación. Además, integra funciones avanzadas como Schmitt Trigger, entradas filtradas para supresión de ruido y protocolo de transferencia bidireccional, lo que garantiza una comunicación estable y confiable.

La Memoria EEPROM I2C 24LC512 SMD soporta hasta 1,000,000 de ciclos de escritura y ofrece retención de datos de hasta 200 años, asegurando longevidad en aplicaciones críticas. Cuenta con un búfer de escritura de página de 128 bytes, protección contra escritura por hardware mediante pin dedicado y resistencia a descargas electrostáticas superiores a 4000V.

Gracias a su amplio rango de operación de voltaje (2.5V a 5.5V) y temperatura (-40°C a +85°C), este dispositivo es altamente versátil y confiable en entornos exigentes.

Funciones destacadas de la Memoria EEPROM I2C 24LC512 SMD:

• Capacidad: 512 Kbit (64K x 8).
• Encapsulado compacto SMD SOIC-8.
• Interfaz en serie I2C de alta compatibilidad.
• Velocidades de hasta 1 MHz.
• Búfer de escritura de 128 bytes.
• Protección de escritura por hardware.
• Resistencia: 1,000,000 ciclos de escritura.
• Retención de datos de hasta 200 años.
• Protección ESD > 4000V.
• Bajo consumo y amplio rango de voltaje de operación.

Aplicaciones comunes:

• Programación y desarrollo electrónico.
• Sistemas embebidos.
• Tarjetas de desarrollo.
• Almacenamiento de configuraciones y calibraciones.
• Dispositivos de bajo consumo energético.

Características técnicas:

• Tamaño de memoria: 512 Kbit (64K x 8).
• Encapsulado: SOIC-8 SMD.
• Interfaz: I2C.
• Voltaje de operación: 2.5V a 5.5V.
• Tiempo de escritura de página: 5 ms máx.
• Búfer de escritura: 128 bytes.
• Frecuencia de reloj: hasta 1 MHz.
• Resistencia: 1,000,000 ciclos de escritura.
• Retención de datos: 200 años.
• Protección de escritura: Pin dedicado.
• Protección ESD: > 4000V.
• Temperatura de operación: -40°C a +85°C.

Hoja de datos:24LC512

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