FDN340P MOSFET P-Channel SOT-23

El FDN340P MOSFET P-Channel SOT-23 es un transistor de efecto de campo diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos de control, robótica y sistemas integrados. Su polaridad P-Channel y configuración de canal único lo hacen ideal para manejar cargas con eficiencia y velocidad.

Este MOSFET soporta una tensión disruptiva entre drenaje y fuente (Vds) de 20 V y una corriente de drenaje continua (Id) de hasta 2 A, con una resistencia de encendido (Rds On) de solo 60 mΩ. Su transconductancia mínima de 9 S y tiempos de subida y caída de 9 ns aseguran conmutación rápida y eficiente, con retardo típico de encendido de 10 ns y apagado de 27 ns.

El FDN340P MOSFET P-Channel SOT-23 está diseñado para montaje superficial (SMD/SMT) en paquete SSOT-3, con dimensiones compactas de 2.9 × 1.4 × 1.12 mm y un peso de solo 30 mg, facilitando su integración en placas de circuito impreso de espacio reducido. Su rango de temperatura de trabajo va de -55 °C a +150 °C, garantizando estabilidad incluso en condiciones exigentes.

Este MOSFET es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, amplificación de señales y control de dispositivos electrónicos de bajo voltaje, combinando eficiencia, velocidad y confiabilidad.

Funciones destacadas del FDN340P MOSFET P-Channel SOT-23:

• Polaridad P-Channel y canal único para control eficiente de cargas
• Alta velocidad de conmutación: tiempos de subida y caída de 9 ns
• Baja resistencia de encendido Rds On: 60 mΩ
• Disipación de potencia de 500 mW y amplio rango de temperatura
• Paquete SSOT-3 compacto para montaje superficial

Aplicaciones comunes:

• Conmutación de señales en circuitos electrónicos
• Amplificación de señales en sistemas de control
• Proyectos de robótica y electrónica integrada
• Control de cargas y dispositivos de bajo voltaje

Características técnicas:

• Estilo de montaje: SMD/SMT
• Paquete / Cubierta: SSOT-3
• Número de canales: 1
• Polaridad del transistor: P-Channel
• Vds: 20 V
• Id: 2 A
• Rds On: 60 mΩ
• Vgs: 8 V
• Temperatura de trabajo: -55 °C a +150 °C
• Disipación de potencia Dp: 500 mW
• Configuración: Single
• Modo canal: Enhancement
• Transconductancia mínima: 9 S
• Tiempo de subida / caída: 9 ns
• Retardo típico encendido / apagado: 10 ns / 27 ns
• Dimensiones: 2.9 × 1.4 × 1.12 mm
• Peso de la unidad: 30 mg

Hoja de datos: FDN340P

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