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Transistor
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Añadir al carritoEl Transistor Darlington D417 es un componente NPN de potencia diseñado para aplicaciones de control y conmutación, ofreciendo alta ganancia de corriente y excelente capacidad de manejo de carga.
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El IRF4905PBF TO-220 es un MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de potencia, ofreciendo alta capacidad de corriente y baja resistencia interna, lo que asegura eficiencia y confiabilidad en sistemas electrónicos exigentes.
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El BC327-25 TO-92 es un transistor PNP versátil de 0.8A y 45V, ampliamente usado en circuitos de conmutación y amplificación en aplicaciones electrónicas generales.
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El MOSFET 2SC2240 TO-92 es un transistor diseñado para amplificación de señales pequeñas, ofreciendo excelente desempeño en circuitos de audio de alta fidelidad y radiofrecuencia.
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El Transistor SS8050 es un NPN de propósito general en encapsulado TO-92, con capacidad de corriente de 1.5A y bajo consumo, perfecto para amplificación y conmutación.
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El MOSFET AO3400 y sus versiones AO3401/AO3402 en encapsulado SOT-23 son transistores de efecto de campo diseñados para aplicaciones SMD, con alta eficiencia y versatilidad.
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El IRF630N MOSFET DIP TO-220 ofrece alta capacidad de corriente, baja resistencia Rds(on) y excelente disipación térmica, siendo perfecto para proyectos de potencia y control electrónico.
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El MOSFET IRFZ24N IRFZ24 TO-220 ofrece bajo Rds(on), alta capacidad de corriente y buena disipación térmica, lo que lo convierte en un componente confiable para proyectos de potencia.
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El MOSFET FGA25N120AN TO-3P combina alta eficiencia, confiabilidad y capacidad de manejo de potencia, siendo una excelente opción para aplicaciones industriales exigentes.
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El MOSFET IRF3205S Canal N en encapsulado SOT-263 combina alta capacidad de corriente, baja resistencia y montaje SMD, perfecto para aplicaciones de potencia.
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MOSFET K4107 N-Channel TO-220 para aplicaciones de alta potencia. Ofrece baja resistencia interna y alta capacidad de conmutación en fuentes, controladores y sistemas industriales.
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El transistor SPA11N80 TO-220 11N80 es un MOSFET de alta tensión diseñado para aplicaciones que requieren alta eficiencia y confiabilidad en el manejo de cargas eléctricas.
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El FQPF8N60C es un MOSFET N-Channel de 600V y 8A, diseñado para conmutación eficiente en aplicaciones de alta potencia y rendimiento confiable.
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El transistor BC817-25 6B es un dispositivo SMD NPN versátil, diseñado para amplificación y conmutación en una amplia gama de aplicaciones electrónicas.
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El MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N es un transistor diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 650V y una corriente de drenaje continua de 25A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido …
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Transistor TIP36C PNP
$ 2.4Añadir al carritoEl Transistor TIP36C PNP es un dispositivo de alta potencia diseñado para manejar cargas de hasta 125W y 25A. Ideal para aplicaciones de amplificación y conmutación, con encapsulado TO-247.
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Transistor TIP35C NPN
$ 2.4Añadir al carritoEl Transistor TIP35C NPN es un dispositivo de alta potencia que soporta hasta 125W y 25A, ideal para amplificación y conmutación en electrónica de potencia. Viene en un encapsulado TO-247.
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Transistor TIP147 PNP
$ 2.5Añadir al carritoEl Transistor TIP147 PNP es un dispositivo de alta potencia, con capacidad de disipar hasta 125W y corriente máxima de 10A, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en electrónica de potencia.
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Transistor TIP142 NPN
$ 2.5Añadir al carritoEl Transistor TIP142 NPN es un transistor de potencia con capacidad de 125W y corriente máxima de 10A, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.
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Triac BT139 600V 16A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT139 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 16A y voltajes de hasta 600V, el BT139 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT138 600V 12A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT138 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 12A y voltajes de hasta 600V, el BT138 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT137 600V 8A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT137 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 8A y voltajes de hasta 600V, el BT137 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Transistor MOSFET M3054M
$ 0.3Añadir al carritoEl transistor MOSFET M3046 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3054, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Transistor MOSFET M3058M
$ 0.3Añadir al carritoTransistor Mosfet M3056 SMD de canal N de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta ue proporciona un excelente RdsON
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Transistor MOSFET M3052M
$ 0.3Añadir al carritoEl QM3052M6 se destaca como un MOSFET de canal N de vanguardia, reconocido por su excepcional rendimiento y una densidad de celda sin precedentes. Diseñado para brindar una eficiencia superior en una amplia gama de aplicaciones de convertidores reductores síncronos, este dispositivo ofrece una baja resistencia de encendido (RdsON) y una carga de compuerta optimizada. Su combinación de características lo posiciona como una opción líder para sistemas que requieren un alto nivel de eficiencia y fiabilidad en la conversión de energía.
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El transistor IRFP360 están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
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Transistor MOSFET de Potencia, diseñado para ser obtener un equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible.
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Los MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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El 2SA1020 es un transistor bipolar PNP de pequeña señal diseñado para diversas aplicaciones, que presenta una corriente de colector continua (I(C)) de 2 A y una tensión de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO) de 50 V. Construido a partir de silicio, este transistor utiliza un solo elemento dentro de su diseño. Viene empaquetado en una configuración TO-92, lo que garantiza una fácil integración en una amplia gama de circuitos electrónicos.
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Transistor NPN BUV48A
$ 1.0Añadir al carritoEl Transistor BUV48A de potencia NPN, de conmutación rápida de alto voltaje, características capacidad de alta corriente velocidad de conmutación rápida al unas aplicaciones son fuentes de alimentación de modo de conmutación, convertidor 21 de baja potencia de transistor único flyback y forward TO-247.
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El transistor IRFB3607 de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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El transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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El transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal
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El transistor IRFB3306 de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.
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Transistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Este MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.
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Tiristor SCR TYN1225
$ 1.5Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.
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Tiristor SCR TYN610
$ 1.5Añadir al carritoLos rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.
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El Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.
