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Categoría: Transistores

Transistores

Descubre nuestros transistores, ideales para electrónica y proyectos PCB, ofreciendo precisión, confiabilidad y alto rendimiento en todas tus aplicaciones profesionales y diseños de circuitos.

  • Transistor NPN 2SD880 de potencia, 60V y 3A, en encapsulado TO-220 para aplicaciones electrónicas.

    30 disponibles

    El 2SD880 es un transistor bipolar NPN de potencia (BJT) diseñado para aplicaciones de amplificación, regulación y conmutación. Soporta una tensión colector-emisor de hasta 60 V, una corriente de colector de hasta 3 A y una disipación máxima de aproximadamente 30 W. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en PCB y la conexión a un disipador térmico.

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  • Transistor MOSFET IRFP360 de canal N, 400V y 23A en encapsulado TO-247AC.

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    El IRFP360 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y control de alta potencia. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 400 V, una corriente continua de 23 A a 25 °C y una resistencia RDS(on) máxima de 0.20 Ω. Su encapsulado TO-247 proporciona una buena capacidad de disipación térmica, siendo adecuado para fuentes conmutadas, convertidores, controladores de motores, inversores y amplificadores de audio.

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  • Transistor MOSFET IRF820 de canal N, 500V y aproximadamente 2,5A en encapsulado TO-220.

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    El IRF820 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 500 V y está disponible en encapsulado TO-220, siendo adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, UPS, controladores de motores y otras aplicaciones de electrónica de potencia. Dependiendo del fabricante y la versión, sus especificaciones de corriente y resistencia RDS(on) pueden variar.

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  • MOSFET IRF721 de canal N, 350V y 3.3A, en encapsulado TO-220 para aplicaciones de conmutación de potencia.

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    El IRF721 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 350 V, una corriente continua de aproximadamente 3.3 A a 25 °C y una resistencia RDS(on) máxima de 1.8 Ω. Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas, UPS, control de motores, relés y solenoides.

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  • Transistor NPN 2N3053 de alta frecuencia en encapsulado metálico TO-39 para amplificación y conmutación.

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    El 2N3053 es un transistor bipolar NPN de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta velocidad. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 40 V, una corriente de colector de 700 mA y una frecuencia de transición de hasta 100 MHz, siendo ideal para amplificadores, osciladores, controladores y circuitos de radiofrecuencia. Se presenta en encapsulado metálico TO-39.

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  • Transistor NPN Darlington MPSA13 de 30V y 500mA en encapsulado TO-92.

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    El MPSA13 es un transistor Darlington NPN de silicio diseñado para aplicaciones de alta ganancia de corriente y conmutación de cargas de baja y media potencia. Soporta un voltaje colector-emisor de 30 V, una corriente de colector de hasta 500 mA y ofrece una ganancia de corriente (hFE) mínima de 5000, siendo ideal para interfaces con microcontroladores, relés, LEDs de potencia y circuitos de control. Se presenta en encapsulado TO-92.

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  • Transistor NPN de Potencia 2SD313 TO-220

    30 disponibles

    El D313, también identificado como 2SD313, es un transistor bipolar NPN de potencia diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación. Soporta un voltaje colector-emisor de 60 V, una corriente de colector de hasta 3 A y una potencia de disipación de 30 W, siendo ideal para amplificadores de audio, fuentes de alimentación y circuitos de control de potencia. Se presenta en encapsulado TO-220.

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  • Transistor BJT NPN 2SD400 de 400 V y 4 A en encapsulado TO-220 para fuentes de alimentación, conmutación y electrónica de potencia.

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    El 2SD400 es un transistor bipolar NPN de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de media potencia. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 400 V, una corriente máxima de colector de 4 A y una disipación de potencia de hasta 40 W, lo que lo hace adecuado para fuentes de alimentación, control de motores, reguladores, inversores y equipos electrónicos industriales. Se presenta en encapsulado TO-220.

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  • Transistor Darlington NPN 2SD1071 de 450 V y 6 A en encapsulado TO-220 para amplificadores, control de motores y aplicaciones de potencia.

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    El 2SD1071 es un transistor Darlington NPN de silicio fabricado mediante tecnología de difusión triple (Triple Diffused Planar), lo que le proporciona una alta ganancia de corriente (hFE), baja tensión de saturación y excelente confiabilidad en aplicaciones de potencia. Está diseñado para trabajar en sistemas de alta tensión donde se requiere un transistor robusto con …

    Transistor Darlington NPN 2SD1071 450V 6A TO-220Leer más

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  • Transistor MOSFET Canal N IRF1010E 60V 84A TO-220

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    El IRF1010E es un transistor MOSFET de canal N de alta potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Soporta un voltaje drenador-fuente de 60 V, una corriente continua de hasta 84 A y presenta una baja resistencia RDS(on) de 12 mΩ, lo que reduce las pérdidas de potencia y mejora el rendimiento en fuentes conmutadas, inversores, controladores de motores y convertidores DC-DC.

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  • Transistor BJT PNP BCP53 de 80 V y 1 A en encapsulado SOT-223 para conmutación, amplificación y control de potencia.

    5 disponibles

    El BCP53 es un transistor bipolar PNP de potencia media diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 80 V, una corriente de colector de hasta 1 A y se presenta en encapsulado SOT-223, ofreciendo una excelente disipación térmica para circuitos de regulación, control de potencia, drivers de MOSFET y equipos electrónicos industriales.

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  • Transistor MOSFET de canal N 2N06L64 de 60 V y 35 A en encapsulado TO-252 para fuentes conmutadas, convertidores DC-DC y control de motores.

    10 disponibles

    El 2N06L64 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y conversión de potencia. Soporta un voltaje drenador-fuente de 60 V, una corriente continua de hasta 35 A y presenta una baja resistencia RDS(on), lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia. Se suministra en encapsulado TO-252 (DPAK) para montaje superficial (SMD).

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  • Circuito integrado TOP227YN TOPSwitch-II con MOSFET de 700V para fuentes de alimentación conmutadas AC-DC en encapsulado TO-220-3.

    20 disponibles

    El TOP227YN es un circuito integrado convertidor offline de la familia TOPSwitch®-II de Power Integrations, diseñado para fuentes de alimentación conmutadas AC-DC de alta eficiencia. Integra un MOSFET de potencia de 700V, controlador PWM, circuito de arranque de alta tensión y múltiples protecciones en un encapsulado TO-220-3, siendo ideal para fuentes Flyback de hasta 90W con entrada universal (85-265 VAC) y hasta 150W con entrada de 100/115/230 VAC.

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  • Circuito integrado TOP244YN TOPSwitch-GX con MOSFET de 700V para fuentes de alimentación conmutadas Flyback en encapsulado TO-220-7C.

    20 disponibles

    El TOP244YN es un circuito integrado conmutador offline de la familia TOPSwitch®-GX de Power Integrations, diseñado para fuentes de alimentación conmutadas AC-DC de alta eficiencia. Integra un MOSFET de potencia de 700V, control PWM, arranque de alta tensión y múltiples sistemas de protección en un encapsulado TO-220-7C, reduciendo el número de componentes externos y simplificando el diseño de fuentes Flyback de hasta 65W (entrada universal) y hasta 290W en aplicaciones específicas.

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  • Transistor Tiristor SCR BTW69-1200 1200V 50A

    10 disponibles

    El BTW69-1200 es un tiristor SCR (Silicon Controlled Rectifier) de alta potencia, diseñado para aplicaciones de control y conmutación de corriente en sistemas industriales. Soporta una corriente RMS de 50A y un voltaje de bloqueo de hasta 1200V, ofreciendo un excelente desempeño en relés de estado sólido, controladores de motores, soldadoras, sistemas de calefacción y convertidores de potencia. Su encapsulado TOP3 aislado proporciona un aislamiento eléctrico de 2500 Vrms, facilitando su montaje sobre disipadores térmicos.

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  • Transistor IGBT FGPF4536 de 360V en encapsulado TO-220F para fuentes conmutadas, inversores y aplicaciones de electrónica de potencia

    10 disponibles

    El FGPF4536 es un transistor IGBT de tecnología Trench diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 360V y una corriente de colector de hasta 50A en operación continua, siendo ideal para fuentes conmutadas, electrodomésticos, iluminación electrónica y equipos de potencia.

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  • Diodo rectificador Schottky MBR40100 de 100V y 40A con encapsulado TO-247 para fuentes conmutadas, inversores y convertidores DC-DC.

    5 disponibles

    El MBR40100 es un diodo rectificador Schottky de doble unión con cátodo común, diseñado para aplicaciones de alta corriente y alta eficiencia. Soporta una corriente rectificada total de 40A y un voltaje inverso máximo de 100V, siendo ideal para fuentes conmutadas, convertidores DC-DC, inversores, cargadores de baterías y sistemas de energía solar.

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  • TRIAC BTA40-700B de 40A y 700V en encapsulado RD91 para control de potencia en corriente alterna.

    3 disponibles

    El BTA40-700B es un TRIAC (no un SCR) de alta potencia diseñado para el control y conmutación de cargas de corriente alterna (CA). Soporta una corriente RMS de hasta 40A y un voltaje de bloqueo de 700V, siendo ideal para dimmers, control de motores, calefactores, relés de estado sólido e inversores.

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  • Transistor de Potencia MJE13009 NPN 400V 12A 100W TO-3P

    10 disponibles

    El MJE13009 es un transistor bipolar NPN de potencia diseñado para aplicaciones de alta tensión y conmutación rápida, ideal para fuentes switching, inversores y sistemas electrónicos de potencia.

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  • Transistor MOSFET canal N HY3912 de potencia para fuentes switching, inversores y controladores de motores

    5 disponibles

    El HY3912 es un transistor MOSFET de potencia canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, control de motores y sistemas de potencia de alta corriente.

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  • Transistor de potencia 2SC3320 NPN de 500V y 15A en encapsulado TO-3PN para fuentes conmutadas e inversores

    5 disponibles

    El 2SC3320 es un transistor bipolar NPN de alta potencia capaz de soportar hasta 500V y 15A, ideal para fuentes conmutadas, inversores, control de potencia y aplicaciones industriales.

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  • Transistor D882 2SD882 NPN de 3A y 40V en encapsulado TO-126 para amplificadores y control de potencia

    20 disponibles

    El D882 o 2SD882 es un transistor NPN de potencia media capaz de manejar hasta 3A, ideal para amplificadores de audio, reguladores de voltaje, convertidores DC-DC y control de cargas electrónicas.

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  • Transistor bipolar NPN MJE13009 de 400V y 12A en encapsulado TO-220 para fuentes switching e inversores

    10 disponibles

    El MJE13009 es un transistor bipolar NPN de potencia diseñado para aplicaciones de alta tensión y conmutación rápida, ideal para fuentes switching, inversores y sistemas electrónicos de potencia.

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  • Diodo rectificador Schottky MBR30200 de 200V y 30A en encapsulado TO-247 para fuentes switching e inversores

    5 disponibles

    El MBR30200 es un diodo rectificador Schottky de 200V y 30A diseñado para aplicaciones de alta eficiencia, fuentes conmutadas, inversores y sistemas de conversión de energía.

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  • Tiristor SCR TYN1025 de 1000V y 25A en encapsulado TO-220 para control de potencia y rectificación controlada

    10 disponibles

    El TYN1025 es un tiristor SCR de 1000V y 25A diseñado para control de potencia, rectificación controlada, regulación de carga y aplicaciones industriales de alta confiabilidad.

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