Transistor PNP 2N4403 BJT TO-92 600mA 40V

El Transistor PNP 2N4403 BJT es un dispositivo semiconductor de uso general diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en circuitos electrónicos de baja y media potencia. Su configuración single PNP y encapsulado TO-92-3 lo hacen fácil de integrar en placas de circuito impreso o protoboards, brindando una solución estable y confiable para proyectos de ingeniería, robótica y automatización.

Con un voltaje máximo colector-emisor (VCEO) de 40V y una corriente de colector de 600mA, el Transistor PNP 2N4403 BJT puede manejar cargas moderadas sin comprometer la eficiencia ni la disipación térmica. Además, su frecuencia de transición mínima de 200MHz garantiza un rendimiento sólido en aplicaciones de conmutación rápida y amplificación de señales de alta frecuencia.

Este transistor presenta una ganancia de corriente (hFE mínima de 30), adecuada para etapas de salida, circuitos de control y sistemas donde se requiere un nivel de corriente superior al de transistores de baja potencia. Con una disipación máxima de 625mW y un rango de operación entre -55°C y 150°C, ofrece fiabilidad incluso en entornos con variaciones térmicas considerables.

El Transistor PNP 2N4403 BJT se utiliza comúnmente en etapas de salida de audio, reguladores de voltaje, controladores de carga y circuitos de señal. Su combinación de estabilidad, robustez y tamaño compacto lo convierte en un componente esencial en cualquier laboratorio o diseño electrónico profesional.

Funciones destacadas del Transistor PNP 2N4403 BJT:

• Amplificación y conmutación de señales de media potencia.
• Corriente de colector continua de hasta 600mA.
• Alta estabilidad térmica con disipación de 625mW.
• Frecuencia de transición mínima de 200MHz.
• Configuración PNP en encapsulado TO-92 estándar.
• Operación confiable en amplio rango de temperatura.

Aplicaciones comunes:

• Amplificadores de audio y señal.
• Etapas de salida y control de potencia.
• Circuitos de conmutación rápida.
• Controladores de carga y fuentes reguladas.
• Prototipos y proyectos educativos.

Características técnicas:

• Empaquetado: TO-92-3
• Polaridad: PNP
• Configuración: Single
• VCEO (máx): 40V
• VCBO (máx): 40V
• VEBO (máx): 5V
• Corriente de colector (IC máx): 0.6A
• Ganancia de corriente (hFE mín): 30
• Frecuencia de transición (fT): 200MHz (mín)
• Disipación de potencia: 625mW
• Temperatura de trabajo: -55°C a 150°C

Hoja de datos:2N4403

Para más Transistores y Semiconductores, consulte la sección Transistores