Transistor NPN 60V TO-220F 2SD2012

El Transistor 2SD2012 NPN es un transistor bipolar de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación y control que requieren operación confiable a tensiones medias y un comportamiento térmico estable. Gracias a su estructura NPN y a su encapsulado TO-220F aislado, este dispositivo facilita el montaje en disipadores, aportando seguridad eléctrica y simplicidad en el diseño del sistema.

Además, el Transistor 2SD2012 NPN soporta un voltaje colector–base de 60 V y un voltaje colector–emisor de 60 V, lo que permite su uso en fuentes de alimentación, reguladores, etapas de control y circuitos de potencia de uso general. Estas características garantizan un desempeño estable incluso bajo variaciones de carga y condiciones normales de operación.

Por otro lado, el Transistor 2SD2012 NPN admite un voltaje emisor–base de 7 V, proporcionando un margen seguro para el control de la base. Asimismo, su capacidad de disipación de potencia del colector de hasta 25 W asegura un funcionamiento confiable cuando se utiliza un disipador adecuado, reduciendo el riesgo de sobrecalentamiento en aplicaciones continuas.

Además, este transistor está diseñado para operar con una temperatura máxima de unión de 150 °C, lo que garantiza una larga vida útil y estabilidad térmica en entornos exigentes. Gracias a estas prestaciones, el Transistor 2SD2012 NPN resulta una solución robusta y eficiente para proyectos de electrónica, robótica e ingeniería que demandan componentes bipolares de potencia media con alta confiabilidad.

En conjunto, el Transistor 2SD2012 NPN combina un diseño compacto, buenas capacidades eléctricas y una adecuada disipación térmica, posicionándose como una opción profesional para aplicaciones de potencia y control electrónico.

Funciones destacadas del Transistor 2SD2012 NPN:

• Permite conmutación confiable en aplicaciones de potencia media.
• Soporta tensiones de hasta 60 V con estabilidad operativa.
• Ofrece buena disipación térmica con encapsulado TO-220F.
• Facilita el diseño seguro de etapas de control.
• Garantiza operación estable a altas temperaturas de unión.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación lineales.
• Reguladores de voltaje.
• Circuitos de conmutación y control.
• Electrónica industrial básica.
• Proyectos de robótica e ingeniería electrónica.

Características técnicas:

• Tipo de transistor: NPN
• Modelo: 2SD2012
• Encapsulado: TO-220F aislado
• Voltaje colector–base (VCB): 60 V
• Voltaje colector–emisor (VCE): 60 V
• Voltaje emisor–base (VEB): 7 V
• Disipación de potencia del colector: 25 W
• Temperatura máxima de unión: 150 °C

Hoja de datos: 2SD2012

Para más Transistores Bipolares y Dispositivos de Potencia, consulte la sección Transistores y Semiconductores de Potencia.