Transistor Mosfet RD15HVF1
$ 38,000.0
El Transistor Mosfet RD15HVF1 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 30V a 4A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET.
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El Transistor Mosfet RD15HVF1 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 30V a 4A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET.
Cantidad:
1 Transistor Mosfet RD15HVF1
Características:
• Polaridad de transistor: N
• Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W
• Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
• Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
• Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
• Encapsulado: TO-220S
Hoja de datos: RD15HVF1
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