Transistor MOSFET RD06HVF1 50V 3A 27.8W

El Transistor MOSFET RD06HVF1 es un transistor de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia y amplificación de alta eficiencia. Capaz de manejar un voltaje Drain-Source de hasta 50V y una corriente de 3A, este dispositivo ofrece un equilibrio óptimo entre rendimiento, linealidad y capacidad de disipación térmica.

Con una potencia de disipación de 27.8W y una potencia de entrada de 0.6W, el Transistor MOSFET RD06HVF1 garantiza una ganancia estable y baja distorsión en amplificadores de RF, transmisores y etapas de salida de equipos de comunicación. Su diseño permite operar con un voltaje de compuerta (Gate) de ±20V, proporcionando seguridad y flexibilidad en el diseño de circuitos de control.

Su estructura interna optimizada minimiza la capacitancia parásita, mejorando la eficiencia en frecuencias elevadas y reduciendo las pérdidas de conmutación. Además, el amplio rango de temperatura de trabajo, de -40°C a +150°C, permite su uso confiable en entornos exigentes, como sistemas industriales, automotrices o de telecomunicaciones.

El Transistor MOSFET RD06HVF1 es especialmente útil en proyectos de electrónica de radiofrecuencia, transmisores de baja potencia, amplificadores lineales, controladores de potencia y sistemas embebidos RF, donde se requiere una respuesta rápida y estable.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET RD06HVF1:

• Transistor MOSFET de potencia canal N para RF.
• Maneja hasta 50V y 3A con alta eficiencia.
• Disipación de potencia de 27.8W.
• Operación estable en amplificadores y etapas de salida.
• Bajo nivel de distorsión y alta ganancia.
• Voltaje de compuerta seguro de ±20V.
• Amplio rango de temperatura de trabajo (-40°C a +150°C).

Aplicaciones comunes:

• Amplificadores de radiofrecuencia (RF).
• Transmisores y equipos de comunicación.
• Etapas de salida en transmisores de baja potencia.
• Sistemas de control y modulación de potencia.
• Proyectos de robótica y automatización con señales RF.

Características técnicas:

• Referencia: RD06HVF1
• Tipo: Transistor MOSFET de canal N
• Voltaje Drain-Source (Vds): 50V
• Voltaje Gate (Vgs): ±20V
• Corriente Drain (Id): 3A
• Potencia de disipación: 27.8W
• Potencia de entrada: 0.6W
• Temperatura de trabajo: -40°C a +150°C

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