Transistor Mosfet IRFR4105Z smd
$ 0.4
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, una potencia de 48W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable para uso en aplicaciones automotrices y una amplia variedad de otras aplicaciones.
5 disponibles
Características:
- Serie HEXFET
- Tipo de FET N Channel
- Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente 55v
- Id – Corriente de drenaje continua max 30 A
- Disipación de potencia 48W
- Temperatura de voltaje de ruptura 0.053°C
- Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente 4V
- Tiempo de recuperación inversa 29 ns
- Resistencia de encendido ultra-baja
- Temperatura de funcionamiento de 175 °C
HOJA DE DATOS : IRFR4105Z
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