Transistor MOSFET IRFR3607 N-Canal 75V 80A

El Transistor MOSFET IRFR3607 es un MOSFET N-Canal de alta potencia diseñado para tareas exigentes de conmutación y control de corriente en sistemas electrónicos industriales, automotrices y de robótica. Su estructura avanzada permite manejar una tensión drenaje-fuente (Vds) de 75 V y una corriente continua de drenaje (Id) de hasta 80 A, asegurando un rendimiento robusto y confiable.

Gracias a su baja resistencia RDS(on) de 0.009 Ω, el Transistor MOSFET IRFR3607 reduce las pérdidas por conducción, mejorando significativamente la eficiencia del sistema y minimizando la generación de calor. Su carga de compuerta (Qg) de 56 nC ofrece un equilibrio ideal entre velocidad de conmutación y estabilidad, permitiendo un control preciso en circuitos de alta frecuencia.

Este componente puede disipar hasta 140 W de potencia y operar en un amplio rango térmico de hasta 175 °C, lo que lo hace apto para entornos de alta demanda y equipos de alto rendimiento. El encapsulado tipo DPAK (TO-252) facilita su montaje superficial en placas de circuito impreso compactas, optimizando el diseño electrónico.

El Transistor MOSFET IRFR3607 es ampliamente usado en fuentes conmutadas, controladores de motores, convertidores DC-DC, inversores, y sistemas de potencia para robótica competitiva y automatización, donde la eficiencia y la capacidad de respuesta rápida son esenciales.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRFR3607:

• Alta corriente de drenaje de 80 A.
• Baja resistencia RDS(on) de 0.009 Ω para mínima pérdida de energía.
• Alta eficiencia y rápida conmutación.
• Disipación de potencia de hasta 140 W.
• Encapsulado DPAK para montaje superficial confiable.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Convertidores DC-DC e inversores.
• Controladores de motores DC y BLDC.
• Sistemas de energía en robótica y automatización.
• Equipos de control de potencia industrial.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad: N-Canal
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 80 A
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V
• Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.009 Ω
• Carga de compuerta (Qg): 56 nC
• Potencia disipada (Pd): 140 W
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
• Encapsulado: DPAK (TO-252)

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