Transistor MOSFET IRFP260 200V 50A TO-247
$ 1.5
El Transistor MOSFET IRFP260 ofrece alta capacidad de corriente, baja resistencia de conducción y excelente eficiencia térmica para aplicaciones de potencia.
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El Transistor MOSFET IRFP260 es un dispositivo de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y alta tensión. Fabricado con tecnología avanzada de canal N, proporciona una baja resistencia RDS(on) de 0.04 Ω, lo que minimiza las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia energética en sistemas de control y conversión de potencia.
Con una tensión de drenaje (VDSS) de 200 V y una corriente continua de 50 A, el IRFP260 puede manejar cargas exigentes sin comprometer la estabilidad eléctrica ni térmica. Además, su corriente de pulso máxima (IDM) de 200 A le permite soportar transitorios de alta demanda en circuitos de conmutación rápida.
El encapsulado TO-247 proporciona una excelente disipación térmica, permitiendo una potencia máxima disipada de 300 W y facilitando su integración en sistemas con disipadores o refrigeración forzada. Esto lo convierte en una opción ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores de potencia, controladores de motor DC, convertidores DC-DC y otras aplicaciones que requieren alta eficiencia y fiabilidad.
El Transistor MOSFET IRFP260 también ofrece una tensión de compuerta (VGS) de ±20 V, lo que garantiza un control estable del estado de conmutación y una amplia compatibilidad con circuitos de control PWM. Su diseño robusto y su rendimiento comprobado lo hacen un componente esencial en el desarrollo de proyectos industriales, automotrices y de ingeniería electrónica avanzada.
Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRFP260:
- Alta capacidad de corriente (50 A) y baja RDS(on).
- Soporta hasta 200 V de tensión de drenaje.
- Baja pérdida de conmutación para mayor eficiencia.
- Encapsulado TO-247 de alta disipación térmica.
- Alta potencia máxima disipada (300 W).
- Confiabilidad en conmutación rápida y control PWM.
Aplicaciones comunes:
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
- Inversores de potencia y controladores de motor.
- Convertidores DC-DC de alta corriente.
- Sistemas de audio y amplificadores clase D.
- Control de carga resistiva e inductiva.
Características técnicas:
- Tipo: MOSFET de canal N
- Encapsulado: TO-247
- Voltaje Drain-Source (VDSS): 200 V
- Voltaje Drain-Gate (VDGR): 200 V
- Voltaje Gate-Source (VGS): ±20 V
- Corriente Drain continua (ID): 50 A
- Corriente Drain pulsada (IDM): 200 A
- Resistencia de conducción (RDS(on)): 0.04 Ω
- Potencia máxima disipada (PD): 300 W
- Dimensiones: 1 × 1 × 1 cm
- Peso: 0.01 kg
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