Transistor MOSFET IRFP064N Canal N 55V 110A TO-247
El IRFP064N es un MOSFET de potencia canal N de 55V y 110A, diseñado para aplicaciones de alta corriente como inversores, fuentes conmutadas, controladores de motores y sistemas de potencia.
El IRFP064N es un transistor MOSFET de potencia canal N desarrollado con tecnología HEXFET®, optimizada para ofrecer una resistencia de conducción extremadamente baja y una alta capacidad de manejo de corriente. Gracias a su diseño robusto, proporciona una excelente eficiencia energética y una rápida velocidad de conmutación en aplicaciones de potencia.
Una de las principales ventajas del MOSFET IRFP064N es su capacidad para soportar corrientes de hasta 110A y voltajes de hasta 55V, manteniendo pérdidas reducidas gracias a su baja resistencia RDS(on) de aproximadamente 8 mΩ. Su encapsulado TO-247 facilita la disipación térmica, haciéndolo ideal para convertidores DC-DC, inversores, controladores PWM, amplificadores de potencia y sistemas de energía de alta demanda.
Funciones destacadas del IRFP064N
- MOSFET canal N de potencia
- Corriente máxima de 110A
- Voltaje drenador-fuente de 55V
- Baja resistencia RDS(on)
- Conmutación rápida
- Encapsulado TO-247 de alta disipación
Usos comunes del MOSFET IRFP064N
El IRFP064N se utiliza en:
- Inversores de potencia
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Controladores de motores DC
- Convertidores DC-DC
- Sistemas UPS
- Equipos industriales y automotrices
Características técnicas
- Modelo: IRFP064N
- Tipo: MOSFET de potencia canal N
- Encapsulado: TO-247
- Voltaje drenador-fuente (VDS): 55V
- Corriente de drenador (ID): 110A
- Resistencia RDS(on): 0.008Ω (8 mΩ)
- Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
- Potencia de disipación: Hasta 200W
- Temperatura máxima de operación: 175°C
- Tecnología: HEXFET®
- Montaje: Through Hole (THT)
Datasheet
- Datasheet: IRFP064N N-Channel Power MOSFET TO-247
Contenido relacionado
- Contenido relacionado: IRFP250N, IRFP260N, IRF3205, MOSFET canal N, controladores PWM
- Para más semiconductores consulte la sección: MOSFET y Electrónica de Potencia.
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