Transistor MOSFET IRFB4115 N-Channel 150V 104A
$ 3.500,0 +IVA
El Transistor MOSFET IRFB4115 tipo N maneja hasta 150V y 104A, con baja resistencia RDS(on), ideal para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRFB4115 es un dispositivo de potencia tipo N-Channel diseñado para conmutación rápida y eficiente en aplicaciones de alta corriente y voltaje. Con una tensión drenaje-fuente (Vds) máxima de 150V y una corriente continua de drenaje (Id) de 104A, este MOSFET ofrece un excelente desempeño en sistemas donde se requiere una elevada capacidad de conducción y mínima pérdida de potencia.
Gracias a su baja resistencia RDS(on) de 0.011Ω, el Transistor MOSFET IRFB4115 garantiza una alta eficiencia energética, reduciendo significativamente el calentamiento durante la operación. Posee una carga de compuerta (Qg) de 77nC, lo que permite una conmutación rápida y control preciso del estado del transistor mediante circuitos de control PWM o microcontroladores.
Este MOSFET soporta una tensión compuerta-fuente (Vgs) de hasta ±20V y una disipación total de 380W, por lo que requiere un sistema de disipación térmica adecuado en condiciones de alta carga. Su encapsulado TO-220AB facilita la instalación en placas de potencia, disipadores y módulos de control electrónico.
El IRFB4115 se utiliza comúnmente en fuentes conmutadas (SMPS), controladores de motores DC, inversores, convertidores DC-DC y sistemas de energía renovable, donde la eficiencia y la estabilidad eléctrica son prioritarias.
Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRFB4115:
- Conmutación rápida para alta frecuencia.
- Baja resistencia RDS(on) (0.011Ω) para mínima disipación.
- Corriente de drenaje continua de hasta 104A.
- Alta tensión soportada: 150V.
- Encapsulado TO-220AB con buena disipación térmica.
- Alta eficiencia en conmutación de potencia.
Aplicaciones comunes:
- Fuentes conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC.
- Inversores de energía y sistemas fotovoltaicos.
- Controladores de motores eléctricos.
- Amplificadores de potencia clase D.
- Etapas de potencia en equipos industriales.
Características técnicas:
- Tipo de transistor: MOSFET Canal N
- Referencia: IRFB4115
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 150V
- Corriente de drenaje (Id): 104A
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20V
- Resistencia RDS(on): 0.011Ω
- Carga de compuerta (Qg): 77nC
- Disipación total (Pd): 380W
- Encapsulado: TO-220AB
Hoja de datos:IRFB4115
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