Transistor MOSFET IRF640N N-Channel TO-220AB

El transistor MOSFET IRF640N es un dispositivo de potencia tipo N-Channel diseñado para conmutación rápida y control eficiente de cargas en circuitos de alta tensión. Con una tensión drenaje-fuente (Vds) máxima de 200 V y una corriente continua de drenaje (Id) de 18 A, este transistor ofrece un rendimiento confiable en aplicaciones de conversión de energía y control de potencia.

Su resistencia drenaje-fuente RDS(on) de 0.15 Ω minimiza las pérdidas por conducción, garantizando un funcionamiento eficiente. Además, su disipación total (Pd) de 150 W permite manejar cargas de potencia elevada sin comprometer la estabilidad térmica del sistema.

El IRF640N incorpora una carga de compuerta (Qg) de 44.7 nC, lo que facilita una conmutación rápida y precisa, optimizando el rendimiento en fuentes conmutadas, inversores y controladores de motores. Su encapsulado TO-220AB proporciona excelente disipación de calor y compatibilidad con disipadores estándar.

Gracias a su robustez eléctrica y térmica, el transistor MOSFET IRF640N es ampliamente utilizado en aplicaciones industriales, electrónicas de potencia, sistemas de control automático y fuentes de alimentación. Su combinación de alta tensión, corriente moderada y baja pérdida lo convierte en una opción eficiente y duradera para proyectos de ingeniería eléctrica y electrónica avanzada.

Funciones destacadas del transistor MOSFET IRF640N:

• Alta tensión de operación de hasta 200 V.
• Baja resistencia RDS(on) para mayor eficiencia.
• Disipación total elevada de 150 W.
• Conmutación rápida con carga de compuerta de 44.7 nC.
• Ideal para control de potencia e inversores.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Inversores de energía y convertidores DC-DC.
• Control de motores y actuadores eléctricos.
• Etapas de salida de amplificadores de potencia.
• Sistemas de control y automatización industrial.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET.
• Polaridad: N-Channel.
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V.
• Corriente continua de drenaje (Id): 18 A.
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V.
• Carga de compuerta (Qg): 44.7 nC.
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.15 Ω.
• Disipación total (Pd): 150 W.
• Encapsulado: TO-220AB.

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