Transistor MOSFET IRF6218 P-Canal 150V 27A

El Transistor MOSFET IRF6218 es un dispositivo P-Canal de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación eficiente y control de alta tensión. Su configuración y especificaciones lo convierten en una excelente opción para sistemas de control de carga, fuentes de alimentación conmutadas e inversores de corriente.

Con una tensión drenaje-fuente (Vds) de 150 V y una corriente continua de drenaje (Id) de 27 A, el Transistor MOSFET IRF6218 ofrece un equilibrio óptimo entre robustez eléctrica y eficiencia de conmutación. Su resistencia drenaje-fuente (RDS(on)) de 0.15 Ω asegura una baja pérdida por conducción, reduciendo la disipación de calor durante la operación continua.

La tensión umbral de compuerta-fuente (Vgs(th)) de 5 V y la carga de compuerta (Qg) de 71 nC permiten un control estable en aplicaciones de alta tensión con respuesta confiable. Con una disipación total de 250 W y una temperatura operativa máxima de 175 °C, el IRF6218 está preparado para condiciones de operación exigentes y circuitos de potencia industrial.

Además, su tiempo de elevación de 70 ns y una conductancia de drenaje-sustrato (Cd) de 370 pF permiten conmutaciones rápidas y precisas, lo que mejora el rendimiento general del sistema.

El Transistor MOSFET IRF6218 es ampliamente utilizado en sistemas de control de energía, electrónica de potencia y robótica avanzada, donde la eficiencia, la durabilidad y la confiabilidad térmica son esenciales.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRF6218:

• Alta tensión de drenaje-fuente de 150 V.
• Corriente continua de drenaje de hasta 27 A.
• Baja resistencia RDS(on) de 0.15 Ω para menor pérdida de energía.
• Disipación térmica elevada (250 W).
• Conmutación rápida con tiempo de elevación de 70 ns.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Controladores de potencia e inversores.
• Sistemas de conmutación de alta tensión.
• Automatización industrial y robótica.
• Control de motores y cargas inductivas.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad: P-Canal
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 27 A
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V
• Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 5 V
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.15 Ω
• Carga de compuerta (Qg): 71 nC
• Tiempo de elevación (tr): 70 ns
• Conductancia drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
• Potencia disipada (Pd): 250 W
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
• Encapsulado: TO-220 o equivalente

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