Transistor MOSFET IRF530N N-Channel TO-220AB

El transistor MOSFET IRF530N es un dispositivo de potencia tipo N-Channel diseñado para conmutación rápida y control eficiente de cargas en circuitos de alta corriente y tensión. Soporta una tensión drenaje-fuente (Vds) de hasta 100 V y una corriente continua de drenaje (Id) de 17 A, lo que lo convierte en una opción robusta para fuentes de alimentación, controladores PWM, inversores y etapas de salida en sistemas electrónicos de potencia.

Con una resistencia drenaje-fuente RDS(on) de solo 0.09 Ω, el IRF530N reduce significativamente las pérdidas de conducción, mejorando la eficiencia térmica y eléctrica del sistema. Su tiempo de elevación (tr) de 22 ns le permite conmutar a alta velocidad, garantizando una respuesta precisa en aplicaciones de conmutación rápida o control digital de potencia.

El dispositivo puede operar con una tensión compuerta-fuente (Vgs) máxima de ±20 V y presenta un umbral de compuerta (Vgs(th)) de 4 V, compatible con controladores lógicos de nivel estándar. Su disipación total (Pd) de 70 W y su encapsulado TO-220AB permiten una excelente gestión térmica, ideal para montaje con disipadores.

El transistor MOSFET IRF530N está diseñado para soportar una temperatura de unión máxima de 175 °C, asegurando fiabilidad incluso en condiciones de operación exigentes. Es ampliamente utilizado en sistemas de conversión de energía, control de motores, drivers de carga y amplificadores de potencia, destacando por su estabilidad, durabilidad y eficiencia.

Funciones destacadas del transistor MOSFET IRF530N:

• Baja resistencia RDS(on) para alta eficiencia.
• Conmutación rápida (22 ns) para respuesta precisa.
• Soporta 100 V y 17 A continuos.
• Encapsulado TO-220AB con buena disipación térmica.
• Compatible con controladores lógicos de 5 V.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Controladores de motores DC y PWM.
• Inversores y convertidores de energía.
• Etapas de salida en amplificadores de potencia.
• Circuitos de control y regulación electrónica.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET.
• Polaridad: N-Channel.
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V.
• Corriente continua de drenaje (Id): 17 A.
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V.
• Tensión umbral Vgs(th): 4 V.
• Disipación total (Pd): 70 W.
• Resistencia RDS(on): 0.09 Ω.
• Tiempo de elevación (tr): 22 ns.
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C.
• Encapsulado: TO-220AB.

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