Transistor Mosfet IRF5305 P-Channel 55V 31A TO-220
Transistor Mosfet IRF5305 canal P, 55V y 31A en encapsulado TO-220. Ideal para puentes H, controladores de motores y fuentes conmutadas.
Potencia y eficiencia con el Transistor Mosfet IRF5305
El transistor Mosfet IRF5305 es un MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Soporta hasta 55V y 31A de corriente continua, con una baja resistencia de conducción, ideal para aplicaciones donde se requiere control desde la parte alta (high-side switching). Su encapsulado TO-220 facilita la disipación de calor, lo que lo convierte en una solución robusta y confiable para fuentes conmutadas, controladores de motores y sistemas de energía.
Gracias a su comportamiento eficiente y activación con lógica negativa, el IRF5305 es ampliamente utilizado en configuraciones complementarias con MOSFETs de canal N para implementar etapas push-pull, puentes H y otras topologías de control de potencia.
Características técnicas del IRF5305
- Tipo: MOSFET canal P
- Voltaje drenaje-fuente (Vds): -55V
- Corriente de drenaje (Id): -31A
- Rds(on): 0.06Ω @ Vgs = -10V
- Encapsulado: TO-220
- Voltaje de compuerta (Vgs): ±20V
- Frecuencia de operación: Alta velocidad, apto para PWM
- Montaje: Through-Hole (THT)
Aplicaciones comunes del Transistor Mosfet IRF5305
- Control de motores DC en topología puente H
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Inversores DC-AC
- Sistemas solares y de respaldo por batería
- Iluminación LED de alta potencia
- Etapas de conmutación en circuitos de potencia
- Aplicaciones IoT y automatización industrial
Ventajas del Transistor Mosfet IRF5305
- Conmutación eficiente con baja pérdida de energía
- Alta corriente de manejo de hasta 31 amperios
- Encapsulado TO-220 con excelente disipación térmica
- Ideal para circuitos high-side gracias a su canal P
- Compatible con controladores lógicos y microcontroladores
- Durabilidad y confiabilidad en entornos industriales y de laboratorio
Hoja de datos: IRF5305 Datasheet
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