Transistor MOSFET AO4606 Canal N/P 30V SOIC-8

El Transistor MOSFET AO4606 es un dispositivo de conmutación dual de alta eficiencia que integra un canal N y un canal P en un solo encapsulado SOIC-8, lo que permite diseñar circuitos compactos y optimizados para aplicaciones electrónicas de control y potencia. Este diseño complementario simplifica el desarrollo de etapas push-pull, convertidores DC-DC, controladores de motor y módulos de alimentación de bajo voltaje.

El canal N del AO4606 soporta un voltaje de drenaje (Vds) de 30V, con una corriente de drenaje continua de 6,9A y una disipación máxima de 2W. Por su parte, el canal P ofrece un voltaje de drenaje de -30V, una corriente de drenaje de -6A y la misma capacidad de disipación. Estas características garantizan un rendimiento estable y equilibrado en configuraciones complementarias, mejorando la eficiencia y reduciendo las pérdidas por conmutación.

Gracias a su bajo Rds(on) y su diseño de baja capacitancia de compuerta, el AO4606 ofrece tiempos de conmutación rápidos y excelente control térmico. Su encapsulado SOIC-8 facilita la integración en placas de circuito impreso (PCB) con espacio limitado, manteniendo una excelente disipación térmica y durabilidad.

El Transistor MOSFET AO4606 es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación conmutadas, controladores de carga, reguladores lineales, interfaces de potencia, conversores DC-DC y circuitos de control lógico, siendo una solución confiable para ingenieros y diseñadores electrónicos que buscan optimizar espacio y eficiencia energética.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET AO4606:

• Configuración dual: canal N y canal P en un solo encapsulado.
• Baja resistencia de conducción (Rds(on)) para alta eficiencia.
• Voltaje de drenaje de 30V y disipación de 2W por canal.
• Alta velocidad de conmutación.
• Diseño compacto tipo SOIC-8.
• Compatible con aplicaciones de control y conversión de potencia.

Aplicaciones comunes:

• Convertidores DC-DC y fuentes de alimentación conmutadas.
• Controladores de motor y sistemas embebidos.
• Etapas push-pull y half-bridge.
• Reguladores de tensión y control de carga.
• Circuitos de conmutación y amplificación de señal.

Características técnicas:

• Modelo: AO4606
• Tipo: MOSFET dual (canal N y canal P)
• Encapsulado: SOIC-8
• Canal N:
  • Voltaje Drain-Source (Vds): 30V
  • Corriente Drain (Id): 6.9A
  • Disipación de potencia (Pd): 2W
• Canal P:
  • Voltaje Drain-Source (Vds): -30V
  • Corriente Drain (Id): -6A
  • Disipación de potencia (Pd): 2W

Hoja de datos:Hoja de datos

Para más transistores de potencia, consulte la sección Transistores