Transistor IGBT de Potencia TGD30N40P 30A 400V TO-252 SMD
$ 4.000,0
El TGD30N40P es un IGBT de potencia de 400V y 30A en encapsulado TO-252 SMD, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y conmutación rápida.
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El Transistor IGBT de Potencia TGD30N40P 30A 400V TO-252 SMD combina las ventajas de los MOSFETs (control por voltaje) y los transistores bipolares (alta capacidad de corriente), ofreciendo un excelente rendimiento en aplicaciones de alta potencia y media/alta tensión.
Gracias a su encapsulado TO-252 (DPAK), permite montaje superficial con buena disipación térmica y alta confiabilidad. Es ampliamente utilizado en inversores, variadores de velocidad, fuentes conmutadas, UPS, soldadoras electrónicas, control de motores y sistemas industriales.
Este IGBT es adecuado para diseños compactos que requieren alta densidad de potencia, bajo consumo en la etapa de control y una conmutación eficiente.
Funciones destacadas:
- IGBT de potencia de alta eficiencia
- Soporta altas corrientes y voltajes
- Control sencillo por compuerta (Gate)
- Encapsulado SMD TO-252 de bajo perfil
- Alta confiabilidad para uso industrial
Aplicaciones comunes:
- Inversores DC/AC
- Variadores de frecuencia (VFD)
- Fuentes de alimentación conmutadas
- Control de motores
- UPS y sistemas de energía
- Electrónica de potencia industrial
Características técnicas:
- Tipo: IGBT de potencia
- Modelo: TGD30N40P
- Voltaje colector-emisor (Vce): 400 V
- Corriente continua (Ic): 30 A
- Encapsulado: TO-252 (DPAK) – SMD
- Conmutación: Rápida
- Montaje: Superficial
Notas de uso:
-
Requiere disipación térmica adecuada según la aplicación
-
Usar resistencia de compuerta para un control óptimo
-
Verificar hoja de datos para límites eléctricos y térmicos
Hoja de datos: TGD30N40P
Para más IGBTs, MOSFETs y semiconductores de potencia, consulte la categoría Transistores.
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