Transistor IGBT CRG40T60AN3H 40A 600V/650V TO-3PN

El G40T60AN3H, identificado en la documentación técnica como CRG40T60AN3H, es un semiconductor de potencia con tecnología Trench Field Stop. Está diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de corriente y control de energía en circuitos electrónicos.

Integra una estructura IGBT y un diodo antiparalelo, característica útil en diferentes topologías de conversión de energía.

Aplicaciones

Este componente puede utilizarse en:

• Soldadoras inverter.
• Inversores de potencia.
• Convertidores de frecuencia.
• Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).
• Equipos electrónicos industriales.
• Circuitos de conmutación de potencia compatibles con sus especificaciones.

Características destacadas

• Transistor de potencia tipo IGBT.
• Tecnología Trench Field Stop.
• Diodo antiparalelo integrado.
• Encapsulado TO-3PN.
• Diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia.
• Requiere una etapa de control de compuerta y una adecuada gestión térmica.

Usos comunes

El G40T60AN3H se emplea principalmente como componente de reemplazo o diseño en etapas de potencia de equipos electrónicos. Antes de sustituir un transistor, es importante verificar la referencia completa, la distribución de terminales, las características eléctricas y los requisitos del circuito original.

Características técnicas

• Referencia marcada: G40T60AN3H.
• Referencia completa: CRG40T60AN3H.
• Tipo de semiconductor: IGBT.
• Tensión colector-emisor: confirmar la revisión de la hoja de datos; existen documentos que indican 600 V y otros 650 V.
• Corriente nominal indicada: 40 A bajo condiciones especificadas de operación.
• Corriente de colector a temperatura de carcasa de 25 °C: hasta 80 A según la hoja de datos consultada.
• Potencia de disipación máxima indicada: 280 W a temperatura de carcasa de 25 °C.
• Tensión de saturación típica: aproximadamente 1.9 V bajo las condiciones de prueba especificadas.
• Encapsulado: TO-3PN.
• Fabricante asociado a la referencia: Huajing / China Resources Huajing Microelectronics.

Los valores máximos dependen de las condiciones de operación, la temperatura y la disipación térmica. No deben interpretarse como valores de uso continuo sin consultar la hoja de datos.

Nota sobre compatibilidad

Antes de instalar el componente, compara su hoja de datos con la del transistor original. Verifica la tensión, corriente, velocidad de conmutación, distribución de pines y características térmicas. La compatibilidad no se determina únicamente por el encapsulado o por una corriente nominal similar.

Datasheet

Transistor-G40T60AN3H

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