Transistor IGBT 30F126 Canal N 330V 200A TO-220F

El Transistor IGBT 30F126 es un dispositivo semiconductor de potencia diseñado para aplicaciones que requieren alta capacidad de corriente, estabilidad eléctrica y funcionamiento confiable en condiciones exigentes. Gracias a su configuración de canal N, este IGBT ofrece un control eficiente de la conducción y una respuesta adecuada en circuitos de conmutación de potencia.

Este componente presenta un voltaje de ruptura colector-emisor (VCES) de 330 V a 25 °C, junto con una corriente de drenaje continua de hasta 200 A, lo que lo hace adecuado para sistemas de potencia de media tensión. Además, su disipación máxima de potencia de 25 W permite un diseño térmico controlado cuando se integra con una correcta gestión de calor. Por lo tanto, el Transistor IGBT 30F126 resulta ideal para aplicaciones donde la eficiencia energética y la robustez operativa son factores clave.

El encapsulado TO-220F facilita el montaje directo en placas PCB y proporciona aislamiento eléctrico del disipador, lo que simplifica el diseño mecánico y mejora la seguridad del sistema. Asimismo, el dispositivo opera en un amplio rango de temperatura, desde -55 °C hasta 150 °C, garantizando un desempeño estable en entornos industriales y aplicaciones de ingeniería avanzadas.

Gracias a estas características, el Transistor IGBT 30F126 se integra fácilmente en proyectos de electrónica de potencia, robótica e ingeniería industrial. En consecuencia, se emplea comúnmente en inversores, controladores de motores y fuentes de alimentación conmutadas que requieren conmutación confiable y alta capacidad de corriente.

Funciones destacadas del Transistor IGBT 30F126:

• Permite conmutación eficiente en aplicaciones de potencia.
• Soporta alta corriente continua con estabilidad eléctrica.
• Ofrece operación segura en un amplio rango de temperatura.
• Facilita el diseño mecánico gracias a encapsulado TO-220F aislado.
• Mejora la confiabilidad de sistemas electrónicos exigentes.

Aplicaciones comunes:

• Inversores de potencia.
• Controladores de motores eléctricos.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Sistemas industriales de potencia.
• Proyectos de electrónica y robótica avanzada.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor IGBT
• Modelo: 30F126
• Polaridad: Canal N
• Encapsulado: TO-220F
• Número de pines: 3
• Voltaje de ruptura VCES (Ta = 25 °C): 330 V
• Corriente de drenaje ID (Ta = 25 °C): 200 A
• Disipación de potencia Pc (Tc = 25 °C): 25 W
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C

Hoja de datos: 30F126

Para más transistores IGBT y dispositivos de potencia, consulte la sección Semiconductores de Potencia y Transistores IGBT.