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Transistor Mosfet IRFR5410

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El transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.

Agotado

Caracteristicas:

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 66 W
  • Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
  • Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
  • Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
  • Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
  • Carga de compuerta (Qg): 58(max) nC
  • Tiempo de elevación (tr): 58 nS
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.205 Ohm

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