Transistor Mosfet IRFB4115
$ 0.9
El Transistor Mosfet IRFB4115 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 150V a 104A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos conmutados y de alta frecuencia.
49 disponibles
Características:
- Referencias: IRFB4115
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Disipación total del dispositivo (Pd): 380 W
- Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
- Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 104 A
- Carga de compuerta (Qg): 77 nC
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm
- Encapsulado: TO220AB
Aplicaciones:
- Electrónica de potencia.
- Automatización.
- Amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores
- UPS.
- Rectificación.
- Fuentes de conmutación de alta frecuencia
Hoja de datos IRFB4115
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