MOSFET P DE POTENCIA TSM085P03CS RLG

$ 1.0

Este MOSFET  de potencia está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.

Incluye protección contra ESD

 

3 disponibles

Descripción

Cantidad:

  • 1 Paquete –   MOSFET P DE POTENCIA TSM085P03CS RLG

Características:

  • Tipo de diodo: MOSFET P
  • Encapsulado: SOP-8
  • Polaridad del transistor: Canal- P
  • Número de canales: 1 canal
  • Tensión entre el Drain y la fuente: 30V
  • Corriente continua de Drain: 34 A
  • Resistencia entre Drain y la fuente: 7.7m Ohms
  • Tensión de Gate y fuente: – 20 V, + 20 V
  • Tensión umbral de Gate y fuente: 1,2V
  • Carga de Gate: 56nC
  • Temperatura de funcionamiento: -55°C~ +150°C
  • Potencia disipada: 14W
  • Tiempo de caída:33ns
  • Tiempo de subida: 2,6ns

Hoja de Datos: TSM085P03CS

Aplicación:

  • Circuitos Electrónicos.
  • Manejo de corrientes consideradas altas en la electrónica.

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