Transistor IGBT NGD8201
$ 0.9
El Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.
44 disponibles
Características:
- Polaridad de transistor: N-Channel
- Disipación total del dispositivo (Pc): 115
- Tensión colector-emisor (Vce): 400
- Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.5
- Tensión emisor-compuerta (Veg): 18
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 20
- Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
- Capacitancia de salida (Cc), pF: 75
- Emcapsulado:To252
Aplicaciones:
- Inversores solares
- UPS
- IH Cooker
- Soldadores y PFC donde las bajas pérdidas de conducción son esenciales.
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