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Transistor IGBT NGD8201

$ 0.8

El Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.

50 disponibles

Características:

  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Disipación total del dispositivo (Pc): 115
  • Tensión colector-emisor (Vce): 400
  • Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.5
  • Tensión emisor-compuerta (Veg): 18
  • Corriente del colector DC máxima (Ic): 20
  • Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
  • Capacitancia de salida (Cc), pF: 75
  • Emcapsulado:To252

Aplicaciones: 

  • Inversores solares
  • UPS
  • IH Cooker
  • Soldadores y PFC donde las bajas pérdidas de conducción son esenciales.

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