Transistor BJT NPN 2SD400 TO-220
El 2SD400 es un transistor bipolar NPN de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de media potencia. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 400 V, una corriente máxima de colector de 4 A y una disipación de potencia de hasta 40 W, lo que lo hace adecuado para fuentes de alimentación, control de motores, reguladores, inversores y equipos electrónicos industriales. Se presenta en encapsulado TO-220.
El 2SD400 es un transistor NPN de silicio de alta tensión, desarrollado para aplicaciones donde se requiere manejar cargas de potencia con un excelente desempeño en conmutación y amplificación. Gracias a su elevada capacidad de voltaje y corriente, es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación, etapas de salida, controladores de motores y equipos industriales.
Su encapsulado TO-220 proporciona una adecuada disipación térmica, permitiendo el montaje sobre disipadores de calor para trabajar con mayores niveles de potencia y mejorar la confiabilidad del circuito.
El 2SD400 ofrece un funcionamiento estable en aplicaciones de conmutación rápida, regulación de potencia y control electrónico. Es una opción común en reparaciones de equipos electrónicos, sistemas de alimentación, inversores y diversos circuitos de electrónica de potencia.
Funciones destacadas
- Transistor bipolar NPN de potencia.
- Alta tensión de operación.
- Corriente de colector de hasta 4 A.
- Voltaje colector-emisor de 400 V.
- Baja saturación.
- Buena capacidad de disipación térmica.
- Encapsulado TO-220.
- Alta confiabilidad.
- Ideal para conmutación y amplificación.
- Fácil montaje mediante orificios pasantes.
Usos comunes
- Fuentes de alimentación.
- Controladores de motores.
- Reguladores de potencia.
- Inversores.
- Equipos industriales.
- Amplificadores.
- Circuitos de conmutación.
- Equipos electrónicos de consumo.
- Reparación electrónica.
- Proyectos de electrónica de potencia.
Características técnicas
- Modelo: 2SD400.
- Tipo: Transistor BJT NPN.
- Material: Silicio.
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 400 V.
- Voltaje colector-base (VCBO): 450 V.
- Voltaje emisor-base (VEBO): 7 V.
- Corriente máxima de colector (IC): 4 A.
- Potencia máxima de disipación (PD): 40 W.
- Ganancia de corriente (hFE): 20 a 100 (según condiciones de operación).
- Frecuencia de transición (fT): Aproximadamente 4 MHz.
- Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C.
- Encapsulado: TO-220.
- Montaje: Through Hole (THT).
Datasheet
2SD400 – Silicon NPN Power Transistor Datasheet.
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