Transistor 2N5460 JFET Canal P TO-92

El Transistor 2N5460 JFET Canal P es un dispositivo de efecto de campo de unión (JFET) diseñado para aplicaciones de baja señal donde se requiere alta impedancia de entrada y excelente linealidad. Su estructura de canal P permite un control preciso de la corriente mediante voltaje de compuerta, brindando un comportamiento estable y repetible en circuitos analógicos, amplificadores y conmutadores.

El encapsulado TO-92-3 facilita el montaje y la integración en placas de circuito impreso, siendo adecuado tanto para prototipos como para producción industrial. Gracias a su bajo nivel de ruido y estabilidad térmica, el 2N5460 se emplea frecuentemente en preamplificadores de instrumentos, equipos de audio, sistemas de sensado y etapas de control de voltaje.

Este transistor soporta un voltaje drenador-fuente (Vds) máximo de 40 V y una corriente drenador (Id) máxima de 10 mA, ofreciendo un margen adecuado para aplicaciones de señal y control. Además, su potencia máxima disipada es de 350 mW, permitiendo un funcionamiento eficiente en un rango de temperatura extendido, desde –65 °C hasta +135 °C.

El Transistor 2N5460 JFET Canal P destaca por su linealidad, confiabilidad y bajo consumo, siendo una elección óptima en diseños donde la precisión y la estabilidad eléctrica son esenciales.

Funciones destacadas del Transistor 2N5460 JFET Canal P:

• Alta impedancia de entrada y bajo nivel de ruido.
• Excelente estabilidad térmica y baja distorsión.
• Amplificación lineal en circuitos analógicos.
• Encapsulado TO-92-3 fácil de integrar.
• Bajo consumo de energía y operación confiable.

Aplicaciones comunes:

• Amplificadores y preamplificadores de señal.
• Conmutadores analógicos y moduladores.
• Circuitos de control y sensado de tensión.
• Etapas de entrada en sistemas electrónicos de precisión.

Características técnicas:

• Tipo de transistor: JFET Canal P
• Modelo: 2N5460
• Encapsulado: TO-92-3
• Polaridad: Canal P
• Voltaje drenador-fuente máximo (Vds): 40 V
• Corriente drenador máxima (Id): 10 mA
• Potencia máxima disipada: 350 mW
• Temperatura de trabajo: –65 °C a +135 °C

Hoja de datos:Hoja de datos – 2N5460

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