MOSFET P-Channel AONS21357 30V 36A 7.8mΩ

El MOSFET P-Channel AONS21357 es un transistor MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y gestión de potencia que requieren baja resistencia de conducción y elevada capacidad de corriente. El dispositivo soporta una tensión drenador-fuente de -30V y puede manejar hasta 36A bajo las condiciones térmicas especificadas por el fabricante. Además, presenta una resistencia RDS(on) máxima de 7.8mΩ con VGS = -10V y 12.3mΩ con VGS = -4.5V, por lo que permite reducir las pérdidas por conducción en aplicaciones de potencia. Su encapsulado DFN5x6-8L de montaje superficial proporciona un formato compacto para diseños electrónicos de alta densidad.

Asimismo, el MOSFET P-Channel AONS21357 incorpora tecnología de trinchera avanzada y está orientado a aplicaciones como interruptores de carga, protección de baterías y sistemas de gestión de energía. Su tensión máxima de compuerta-fuente es de ±25V, mientras que la temperatura máxima de unión alcanza 150°C. Además, el fabricante especifica una carga de compuerta de 25nC a 4.5V y 50nC a 10V, junto con una disipación de potencia de hasta 48W bajo condiciones de montaje en carcasa. Por consiguiente, este transistor resulta apropiado para fuentes de alimentación, sistemas alimentados por batería, convertidores, circuitos de protección y aplicaciones industriales que requieren conmutación eficiente.

Funciones destacadas de MOSFET P-Channel AONS21357

• Trabaja como MOSFET de canal P para conmutación electrónica.
• Soporta una tensión drenador-fuente de -30V.
• Permite una corriente continua de hasta 36A bajo las condiciones especificadas.
• Presenta una resistencia RDS(on) máxima de 7.8mΩ a VGS = -10V.
• Presenta una resistencia RDS(on) máxima de 12.3mΩ a VGS = -4.5V.
• Permite controlar cargas con pérdidas reducidas por conducción.
• Ofrece capacidad de accionamiento con VGS de -4.5V.
• Utiliza encapsulado compacto DFN5x6-8L.
• Resulta adecuado para protección y gestión de baterías.
• Facilita diseños compactos de sistemas de potencia.

Usos comunes en electrónica, potencia y gestión de baterías

• Protección de baterías.
• Interruptores de carga.
• Circuitos de gestión de energía.
• Sistemas de alimentación DC.
• Convertidores de potencia.
• Conmutación de cargas.
• Sistemas industriales.
• Circuitos electrónicos alimentados por batería.
• Fuentes de alimentación compactas.
• Proyectos de ingeniería electrónica.

Características técnicas

• Modelo: AONS21357.
• Tipo: MOSFET de canal P.
• Tecnología: MOSFET de potencia.
• Configuración: Simple.
• Tensión VDS: -30V.
• Tensión VGS: ±25V.
• Corriente continua ID: -36A a TC = 25°C.
• Corriente continua ID: -21A a TA = 25°C.
• Corriente pulsada IDM: -144A.
• RDS(on) máximo: 7.8mΩ a VGS = -10V.
• RDS(on) máximo: 12.3mΩ a VGS = -4.5V.
• Carga de compuerta Qg: 25nC a 4.5V; 50nC a 10V.
• VGS(th): -1.30V mínimo, -1.70V típico, -2.30V máximo.
• Disipación de potencia: Hasta 48W a TC = 25°C.
• Temperatura máxima de unión: 150°C.
• Rango de temperatura de unión y almacenamiento: -55°C a 150°C.
• Capacitancia de entrada Ciss: 2830pF.
• Capacitancia de salida Coss: 430pF.
• Capacitancia de transferencia Crss: 365pF.
• Encapsulado: DFN5x6-8L.
• Dimensiones del encapsulado: Aproximadamente 5.2 × 5.55 × 0.95mm.
• Montaje: Superficial (SMD).
• Aplicaciones: Protección de baterías, interruptores de carga y gestión de potencia.

Datasheet:
AONS21357 Datasheet – 30V P-Channel MOSFET

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