Transistor Mosfet IRFR3709Z smd
$ 0.4
Reductor síncrono de alta frecuencia Convertidores para potencia de procesador de computadora. Tambien trabaja como CC-CC aislada de alta frecuencia con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
2 disponibles
Características:
- Tensión disruptiva entre drenaje y fuente 30 V
- Corriente de drenaje continua 86 A
- Tensión entre puerta y fuente -20V + 20 V
- Tensión umbral entre puerta y fuente 2.25 V
- Temperatura de trabajo máxima + 175 °c
- Disipación de potencia 79 W
- Subcategoría Mosfet
- Tipo de transistor 1 N-Channel
- RDS muy bajo (ON) a 4,5 V VGS
- Impedancia de puerta ultra-baja
- Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
HOJA DE DATOS IRFR3709Z
Debes acceder para publicar una valoración.
Productos relacionados
-
Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
-
Añadir al carrito
Transistor Mosfet IRF840 es un dispositivo electronico de canal N de montaje superficial con un encapsulado SOT263. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de alta potencia.
-
Añadir al carrito
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, máxima disipación de potencia 140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.
-
Transistor IGBT NGD8201
$ 0.9Leer másEl Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.
-
Añadir al carrito
Transistor de propósito general MMBT2907A (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT2222A
Valoraciones
No hay valoraciones aún.