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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor Mosfet IRFR4105Z smd

$ 0.4

Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de  175 °C, una potencia de 48W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable para uso en aplicaciones automotrices y una amplia variedad de otras aplicaciones.

10 disponibles

Características:

  • Serie HEXFET
  • Tipo de FET   N Channel
  • Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente  55v
  • Id – Corriente de drenaje continua max 30 A
  • Disipación de potencia  48W
  • Temperatura de voltaje de ruptura 0.053°C
  • Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente 4V
  • Tiempo de recuperación inversa 29 ns
  • Resistencia de encendido ultra-baja
  • Temperatura de funcionamiento de 175 °C

HOJA DE DATOS : IRFR4105Z

 

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SKU: C3-G-6-A Categorías: , Etiquetas: , ,