MOSFET Canal N 30V Alta Corriente SMD IRFR3709Z

El Transistor Mosfet IRFR3709Z es un MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de potencia de baja y media tensión que requieren alta eficiencia, rápida conmutación y manejo de corrientes elevadas. Gracias a su tensión disruptiva drenaje-fuente de 30 V, este dispositivo se adapta perfectamente a convertidores DC-DC, controladores de motores, fuentes conmutadas y sistemas electrónicos de alto rendimiento.

Además, el Transistor Mosfet IRFR3709Z soporta una corriente de drenaje continua de hasta 86 A, lo que permite alimentar cargas exigentes con excelente estabilidad eléctrica. Esta capacidad resulta especialmente útil en diseños donde se busca alta densidad de potencia sin comprometer la confiabilidad del sistema. Asimismo, su disipación de potencia de hasta 79 W asegura un desempeño térmico adecuado cuando se implementa con un diseño de disipación correcto.

Por otro lado, el Transistor Mosfet IRFR3709Z presenta una tensión umbral puerta-fuente típica de 2.25 V, lo que facilita su control desde drivers de compuerta de bajo voltaje. Además, su RDS(on) muy bajo a VGS de 4.5 V reduce de forma significativa las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia energética global del circuito. La impedancia de puerta ultra-baja contribuye, además, a una conmutación rápida y estable.

Asimismo, este MOSFET admite una tensión puerta-fuente de −20 V a +20 V y cuenta con voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados, lo que incrementa la robustez frente a transitorios eléctricos. Su capacidad de operar hasta una temperatura máxima de 175 °C garantiza fiabilidad incluso en entornos térmicos exigentes. En conjunto, el Transistor Mosfet IRFR3709Z ofrece una solución profesional, eficiente y duradera para proyectos de electrónica, robótica e ingeniería de potencia.

Funciones destacadas del Transistor Mosfet IRFR3709Z:

• Permite conmutación eficiente en aplicaciones de baja tensión.
• Maneja corrientes elevadas con alta estabilidad.
• Reduce pérdidas gracias a RDS(on) muy bajo.
• Ofrece impedancia de puerta ultra-baja para conmutación rápida.
• Garantiza robustez ante eventos de avalancha.

Aplicaciones comunes:

• Convertidores DC-DC de alta corriente.
• Controladores de motores y actuadores.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Electrónica de potencia en robótica.
• Sistemas industriales de baja tensión.

Características técnicas:

• Tipo de transistor: MOSFET canal N
• Subcategoría: MOSFET
• Modelo: IRFR3709Z
• Encapsulado: SMD
• Tensión drenaje-fuente (VDS): 30 V
• Corriente de drenaje continua (ID): 86 A
• Tensión puerta-fuente (VGS): −20 V a +20 V
• Tensión umbral puerta-fuente (VGS(th)): 2.25 V
• Disipación de potencia: 79 W
• RDS(on): Muy bajo a VGS = 4.5 V
• Impedancia de puerta: Ultra-baja
• Avalancha: Voltaje y corriente completamente caracterizados
• Temperatura máxima de trabajo: +175 °C

Hoja de datos: IRFR3709Z

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