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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Categoría: Componentes Electrónicos

Componentes Electrónicos

  • El diodo rectificador Schottky de 12A 45V, las aplicaciones típicas son Panel solar, fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, diodos de rueda libre y protección de batería inversa.

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  • El diodo rectificador Schottky de 12A 45V, las aplicaciones típicas son Panel solar, fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, diodos de rueda libre y protección de batería inversa.

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  • El diodo rectificador Schottky de 30A 45V, las aplicaciones típicas son Panel solar, fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, diodos de rueda libre y protección de batería inversa.

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  • Diodo rectificador Schottky de 15A 45V, las aplicaciones típicas son Panel solar, fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, diodos de rueda libre y protección de batería inversa.

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  • El Display LCD 2004A alfanumérico de 20 x 4 caracteres que permite visualizar textos que provengan de cualquier microcontrolador existente en el mercado, tales como Arduino, PIC, Raspberry Pi, etc. Puede desplegar 20 caracteres en 4 filas. Alimentación con 5v y es compatible con variadas librerías existentes en la web.

    Seleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de producto
  • La pantalla LCD0802A es un módulo de pantalla LCD alfanumérica 8×2 con dimensiones de 58.0 x 32.0 mm y un área activa de 27.81 x 11.5 mm (diagonal de 1.18″). Funciona con una fuente de alimentación de 5V, compatible con 3V, mientras que el voltaje negativo está limitado a 3V. El módulo de pantalla LCD 8×2 incluye una placa de circuito impreso (PCB) que incorpora agujeros de montaje, facilitando así la instalación en diversas aplicaciones.

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  • La pantalla LCD de 16 caracteres x 2 líneas, con modulo I2C de fácil instalación y compatible con plataforma Arduino, Raspberry y cualquier Microcontrolador, compatible al 100% con cualquier librerí­a LCD de los compiladores del mercado. Esta LCD es usada en copiadoras, máquinas de fax, impresoras láser, equipos de prueba industrial, equipos de red, tales como routers y dispositivos de almacenamiento.

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  • El Transistor BUV48A de potencia NPN, de conmutación rápida de alto voltaje, características capacidad de alta corriente velocidad de conmutación rápida al unas aplicaciones son fuentes de alimentación de modo de conmutación, convertidor 21 de baja potencia de transistor único flyback y forward TO-247.

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  • El Tiristor SCR TYN208 de la familia de rectificadores controlados por silicio de uso general está diseñado para fuentes de alimentación de hasta 400 Hz con carga resistiva o inductiva. El Tiristor SCR TYN208 con un voltaje pico máximo en estado de 200V

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  • El transistor IRFB3607  de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.

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  • El transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.

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  • El transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal

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  • El transistor IRFB3306  de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia  está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.

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  • Transistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Este MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.

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  • Estos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente.

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  • El Tiristor SCR TYN816 de la serie estándar TN16 / TYNx16 de 16 A es adecuada para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente.

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  • TYN612 SCR Tiristor 600V – 12A TO-220, diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, electrodomésticos, control de motores, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.

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  • Estos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.

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  • Los rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.

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  • El  SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

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  • El Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.

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  • Transistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC

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  • Mini switch negro 2 pines, 2 posiciones (ON/OFF).

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  • El ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.

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  • Diseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.

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  • Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.

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  • Cuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Transistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.

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  • Transistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.

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  • No es necesario conectar el Voltímetro LED a una fuente de alimentación, ya que cuenta con un sistema de dos cables.

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  • El TPA3110D2 puede manejar parlantes estéreo tan bajos como 4. La alta eficiencia del TPA3110D2, 90%, elimina la necesidad de un disipador de calor externo cuando se reproduce música.
    Las salidas también están totalmente protegidas contra cortocircuitos a GND, VCC y salida a salida. La protección contra cortocircuitos y la protección térmica incluyen una función de recuperación automática.

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  • El HEF4093B es una puerta NAND cuádruple de dos entradas.

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  • El sensor digital BME280 mide temperatura, humedad y presión barométrica. Compatible con I2C y SPI, es ideal para estaciones meteorológicas y proyectos IoT.

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  • El conector SMA se utiliza con mayor frecuencia en sistemas de microondas, antenas de teléfonos móviles y radios portátiles y, más recientemente, con sistemas de antenas WiFi y llaves de radio USB definidas por software .También se usa comúnmente en radio-astronomía , particularmente en frecuencias más altas (5 GHz +).

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  • Esta board funciona a base del chip MAX485, este es un transceptor de baja potencia y con una velocidad de respuesta limitada, es normalmente utilizado para comunicación RS-485. Puede alcanzar una velocidad máxima de transmisión de 2.5Mbps.

    Este módulo se conecta a un microcontrolador o Arduino y permite convertir las señales seriales TTL a RS-485. RS485 se utiliza para comunicaciones serie a distancias mas largas que el RS232 directo o TTL, y admite múltiples unidades en el mismo bus (Multi-Drop).

     

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  • Fotoresistencia LDR Fotocelda 7mm, es una resistencia que disminuye su valor al aumentar la intensidad de la luz que incide sobre ella.

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  • Modulo Receptor y Transmisor Infrarrojo VS1838 HX-53

    Voltaje de suministro: 5 V

    Entorno de trabajo: -25 ~ + 85 C

    Temperatura de almacenamiento: -30 ~ + 100 C

    Longitud de onda: 940nm

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  • Transistor mosfet MMD60R360P SMD de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión, baja resistencia de encendido.

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  • Transistor IGBT MGD623S con un VCE= 600V e IC= 50V

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